Electronic catalog

el cat en


 

База данных: ELS Lan

Page 1, Results: 4

Отмеченные записи: 0

621.3.049.77(07)+
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 172 с.. - ISBN 978-5-507-45479-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- кремний -- германий -- карбид кремния -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид алюминия -- метод чохральского -- зонная плавка -- легированные кристаллы -- подпитка из жидкой фазы -- метод плавающего тигля -- синтез
Аннотация: Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 172 с.

1.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 172 с.

Открыть исходную запись


621.3.049.77(07)+
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 172 с.. - ISBN 978-5-507-45479-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- кремний -- германий -- карбид кремния -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид алюминия -- метод чохральского -- зонная плавка -- легированные кристаллы -- подпитка из жидкой фазы -- метод плавающего тигля -- синтез
Аннотация: Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

621.3.049.77.002.
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 216 с.. - ISBN 978-5-507-45481-5
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- эпитаксиальные технологии -- эпитаксия -- эпитаксиальный рост -- эпитаксиальные подложки -- зародышеобразование -- гетерогенные системы -- бикристаллография -- кристалл -- метрическое несоответствие -- симметрийное несоответствие -- вакуумные методы -- методы ионного распыления -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 216 с.

2.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 216 с.

Открыть исходную запись


621.3.049.77.002.
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 216 с.. - ISBN 978-5-507-45481-5
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- эпитаксиальные технологии -- эпитаксия -- эпитаксиальный рост -- эпитаксиальные подложки -- зародышеобразование -- гетерогенные системы -- бикристаллография -- кристалл -- метрическое несоответствие -- симметрийное несоответствие -- вакуумные методы -- методы ионного распыления -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

621.3
Микушин, А. В.
    Физические основы электроники : учебное пособие для вузов / А. В. Микушин. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 148 с.. - ISBN 978-5-507-45544-7
Книга из коллекции Лань - Физика

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Физика--Физика (общие курсы)--Лань

Кл.слова (ненормированные):
физические основы электроники -- электропроводность полупроводников -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы
Аннотация: Рассматриваются принципы работы, устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов. Книга может быть полезной как для понимания принципов работы существующих электронных приборов, так и при выборе перспективных приборов и микросхем для разрабатываемых радиоэлектронных устройств. Книга предназначена для студентов радиотехнических специальностей.

Микушин, А. В. Физические основы электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2023. - 148 с.

3.

Микушин, А. В. Физические основы электроники [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2023. - 148 с.

Открыть исходную запись


621.3
Микушин, А. В.
    Физические основы электроники : учебное пособие для вузов / А. В. Микушин. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 148 с.. - ISBN 978-5-507-45544-7
Книга из коллекции Лань - Физика

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Физика--Физика (общие курсы)--Лань

Кл.слова (ненормированные):
физические основы электроники -- электропроводность полупроводников -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы
Аннотация: Рассматриваются принципы работы, устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов. Книга может быть полезной как для понимания принципов работы существующих электронных приборов, так и при выборе перспективных приборов и микросхем для разрабатываемых радиоэлектронных устройств. Книга предназначена для студентов радиотехнических специальностей.

621.396.6
Микушин, А. В.
    Схемотехника современных телекоммуникационных устройств : учебное пособие для вузов / А. В. Микушин. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 256 с.. - ISBN 978-5-507-45542-3
Книга из коллекции Лань - Информатика

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Информатика--Интернет. Сетевые технологии--Лань

Кл.слова (ненормированные):
принципы работы усилителей различных частотных диапазонов и мощности -- основные узлы цифровой техники -- виды модуляции -- аналоговые системы радиосвязи -- цифровые системы радиосвязи
Аннотация: Пособие содержит краткое описание принципов работы усилителей различных частотных диапазонов и мощности, основных узлов цифровой техники, достаточное для понимания начинающими читателями. Примеры схем облегчают восприятие материала. В книге содержится минимально необходимая информация по видам модуляции, применяющимся в аналоговых и цифровых системах радиосвязи. Книга может быть полезной как при создании новых схем приемо-передающей техники, так и при эксплуатации уже существующих радиосистем. Книга предназначена для студентов радиотехнических специальностей, однако может быть использована как радиолюбителями, так и инженерами.

Микушин, А. В. Схемотехника современных телекоммуникационных устройств [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2023. - 256 с.

4.

Микушин, А. В. Схемотехника современных телекоммуникационных устройств [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2023. - 256 с.

Открыть исходную запись


621.396.6
Микушин, А. В.
    Схемотехника современных телекоммуникационных устройств : учебное пособие для вузов / А. В. Микушин. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 256 с.. - ISBN 978-5-507-45542-3
Книга из коллекции Лань - Информатика

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Информатика--Интернет. Сетевые технологии--Лань

Кл.слова (ненормированные):
принципы работы усилителей различных частотных диапазонов и мощности -- основные узлы цифровой техники -- виды модуляции -- аналоговые системы радиосвязи -- цифровые системы радиосвязи
Аннотация: Пособие содержит краткое описание принципов работы усилителей различных частотных диапазонов и мощности, основных узлов цифровой техники, достаточное для понимания начинающими читателями. Примеры схем облегчают восприятие материала. В книге содержится минимально необходимая информация по видам модуляции, применяющимся в аналоговых и цифровых системах радиосвязи. Книга может быть полезной как при создании новых схем приемо-передающей техники, так и при эксплуатации уже существующих радиосистем. Книга предназначена для студентов радиотехнических специальностей, однако может быть использована как радиолюбителями, так и инженерами.

Page 1, Results: 4

 

All acquisitions for 
Or select a month