Skip to content 
el cat en
База данных: ELS Lan
Page 1, Results: 4
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Исмаилов, Т. А.
Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства / Т. А. Исмаилов, Х. М. Гаджиев. - 2-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2021. - 124 с.. - ISBN 978-5-8114-8775-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/149458
ББК 621.315.592
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые устройства -- микроэлектронные устройства -- микроэлектроника -- термоэлектрическое приборостроение -- криотронные устройства
Аннотация: В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств. Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Приборостроение» и аспирантов направлений подготовки «Электро- и теплотехника», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии».
Доп.точки доступа:
Гаджиев, Х. М.
Исмаилов, Т. А.
Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства / Т. А. Исмаилов, Х. М. Гаджиев. - 2-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2021. - 124 с.. - ISBN 978-5-8114-8775-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/149458
| УДК |
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые устройства -- микроэлектронные устройства -- микроэлектроника -- термоэлектрическое приборостроение -- криотронные устройства
Аннотация: В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств. Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Приборостроение» и аспирантов направлений подготовки «Электро- и теплотехника», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии».
Доп.точки доступа:
Гаджиев, Х. М.
2.
Подробнее
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
ББК 22.379я73
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
3.
Подробнее
Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 624 с.. - ISBN 978-5-8114-0762-0
Книга из коллекции Лань - Физика. Допущено Научно-методическим советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по физическим и техническим направлениям и специальностям
. - https://e.lanbook.com/book/168898
ББК 22.379я73
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- кристаллическая решетка -- учебник в3792 -- атом -- атомы в кристалле -- браге -- бриллюэн -- волна -- газ -- групп теория -- группа -- диамагнетизм -- дифракция -- дифракция рентгеновских лучей -- диэлектрик -- диэлектрики -- дырка -- зона -- изотропный -- квазиуровень -- кинетические процессы -- кинетические уравнения -- колебание -- континуум -- кристалл -- кристаллическая -- кристаллические решетки -- кубическая -- луч -- металл -- обратная -- оптика -- оптика полупроводников -- орбитальное -- парамагнетизм -- перенос -- периодическое -- поглощение -- поле -- положительная -- полупроводники кристаллическая решетка -- поляритон -- полярон -- примесь -- пространственная -- прямая -- рассеяние -- расширение -- расщепление -- резонанс -- релаксация -- рентгеновский -- решетка -- свет -- симметрия -- симметрия кристаллов -- сингония -- спин -- твердое -- тело -- теория групп -- теория полупроводников -- тепловое -- теплоемкость -- теплопроводность -- точечная -- трансляция -- учебник и пособие * -- учебные издания -- ферми -- физика полупроводники кристаллические решетки учебные пособия рентгеновские лучи симметрия кристаллов электроны твердые тела оптика полупроводников свет электронная проводимость перенос кинетические процессы термомагнитные явления гальваномагнитные явления -- фонон -- экситон -- электрон -- электроны в идеальном кристалле
Аннотация: В книге рассматриваются различные вопросы теории полупроводников: колебания кристаллической решетки, законы движения электронов в идеальном и возмущенном периодических полях, кинематическое уравнение и явления переноса. Изложены элементы теории групп и симметрии кристаллов, а также материалы по оптике полупроводников. Достоинством книги является ясность и доступность математического аппарата: все формулы подробным образом выводятся на основе сведений по математике, квантовой механике и статистической физике в объеме программ физических факультетов университетов. Некоторые математические выводы, более сложные и менее связанные с основным текстом, приведены в приложениях. Книга предназначена для студентов физических специальностей университетов и высших технических учебных заведений и физиков-экспериментаторов.
Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 624 с.. - ISBN 978-5-8114-0762-0
Книга из коллекции Лань - Физика. Допущено Научно-методическим советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по физическим и техническим направлениям и специальностям
. - https://e.lanbook.com/book/168898
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- кристаллическая решетка -- учебник в3792 -- атом -- атомы в кристалле -- браге -- бриллюэн -- волна -- газ -- групп теория -- группа -- диамагнетизм -- дифракция -- дифракция рентгеновских лучей -- диэлектрик -- диэлектрики -- дырка -- зона -- изотропный -- квазиуровень -- кинетические процессы -- кинетические уравнения -- колебание -- континуум -- кристалл -- кристаллическая -- кристаллические решетки -- кубическая -- луч -- металл -- обратная -- оптика -- оптика полупроводников -- орбитальное -- парамагнетизм -- перенос -- периодическое -- поглощение -- поле -- положительная -- полупроводники кристаллическая решетка -- поляритон -- полярон -- примесь -- пространственная -- прямая -- рассеяние -- расширение -- расщепление -- резонанс -- релаксация -- рентгеновский -- решетка -- свет -- симметрия -- симметрия кристаллов -- сингония -- спин -- твердое -- тело -- теория групп -- теория полупроводников -- тепловое -- теплоемкость -- теплопроводность -- точечная -- трансляция -- учебник и пособие * -- учебные издания -- ферми -- физика полупроводники кристаллические решетки учебные пособия рентгеновские лучи симметрия кристаллов электроны твердые тела оптика полупроводников свет электронная проводимость перенос кинетические процессы термомагнитные явления гальваномагнитные явления -- фонон -- экситон -- электрон -- электроны в идеальном кристалле
Аннотация: В книге рассматриваются различные вопросы теории полупроводников: колебания кристаллической решетки, законы движения электронов в идеальном и возмущенном периодических полях, кинематическое уравнение и явления переноса. Изложены элементы теории групп и симметрии кристаллов, а также материалы по оптике полупроводников. Достоинством книги является ясность и доступность математического аппарата: все формулы подробным образом выводятся на основе сведений по математике, квантовой механике и статистической физике в объеме программ физических факультетов университетов. Некоторые математические выводы, более сложные и менее связанные с основным текстом, приведены в приложениях. Книга предназначена для студентов физических специальностей университетов и высших технических учебных заведений и физиков-экспериментаторов.
4.
Подробнее
Пасынков, В. В.
Полупроводниковые приборы : учебное пособие для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 11-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 480 с.. - ISBN 978-5-507-45795-3
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. Допущено Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров «Электроника и микроэлектроника» и по направлению подготовки дипломированных специалистов «Электроника и микроэлектроника»
. - https://e.lanbook.com/book/222623
ББК 32.852я73
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковые приборы -- микросхемы -- микроэлектроника -- физика -- контактные явления -- диоды -- пробой -- биполярные транзисторы -- транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- электроны -- междолинный переход -- оптоэлектронные приборы -- фоторезисторы -- лазеры -- фотодиоды -- терморезисторы -- варисторы -- аморфные полупроводники -- термоэлектрические устройства -- гальванометрические приборы
Аннотация: В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению «Электроника и микроэлектроника».
Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.
Пасынков, В. В.
Полупроводниковые приборы : учебное пособие для вузов / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 11-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 480 с.. - ISBN 978-5-507-45795-3
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки. Допущено Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров «Электроника и микроэлектроника» и по направлению подготовки дипломированных специалистов «Электроника и микроэлектроника»
. - https://e.lanbook.com/book/222623
| УДК |
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковые приборы -- микросхемы -- микроэлектроника -- физика -- контактные явления -- диоды -- пробой -- биполярные транзисторы -- транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- электроны -- междолинный переход -- оптоэлектронные приборы -- фоторезисторы -- лазеры -- фотодиоды -- терморезисторы -- варисторы -- аморфные полупроводники -- термоэлектрические устройства -- гальванометрические приборы
Аннотация: В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению «Электроника и микроэлектроника».
Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.
Page 1, Results: 4