Skip to content
Choice of metadata Электронный каталог ДВФУ
Page 1, Results: 1
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
Медведь, А. В.
Измерения магнитных параметров электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта / А. В. Медведь, Р. Г. Крышталь, А. И. Крикунов // Журнал технической физики. - Т. 76, N 11 (2006), С. 72-78. - Библиогр.: c. 77-78 (13 назв. )
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропное магнетосопротивление -- гигантское магнетосопротивление -- коэрцитивная сила -- магнетосопротивление -- магнитные пленки -- магниторезистивный эффект -- наноразмерные пленки -- обменное смещение поля перемагничивания -- оси анизотропии -- оси легкого намагничивания -- поле перемагничивания -- слоистые структуры -- спин-туннельные магнитные переходы -- ферромагнитные пленки -- электропроводящие пленки
Аннотация: Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm) -пленка Py (10 nm) , выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) , выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90o по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) с испол
Доп.точки доступа:
Крышталь, Р. Г.
Крикунов, А. И.
Медведь, А. В.
Измерения магнитных параметров электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта / А. В. Медведь, Р. Г. Крышталь, А. И. Крикунов // Журнал технической физики. - Т. 76, N 11 (2006), С. 72-78. - Библиогр.: c. 77-78 (13 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
анизотропное магнетосопротивление -- гигантское магнетосопротивление -- коэрцитивная сила -- магнетосопротивление -- магнитные пленки -- магниторезистивный эффект -- наноразмерные пленки -- обменное смещение поля перемагничивания -- оси анизотропии -- оси легкого намагничивания -- поле перемагничивания -- слоистые структуры -- спин-туннельные магнитные переходы -- ферромагнитные пленки -- электропроводящие пленки
Аннотация: Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm) -пленка Py (10 nm) , выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) , выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90o по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm) -Py (10 nm) -SiC (1. 5 nm) -Py (10 nm) с испол
Доп.точки доступа:
Крышталь, Р. Г.
Крикунов, А. И.
Page 1, Results: 1