Skip to content
Choice of metadata Электронный каталог ДВФУ
Page 1, Results: 3
Report on unfulfilled requests: 0
1.
Подробнее
Гуртов, Валерий Алексеевич.
Неравновесные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник : [учебное пособие] / В. А. Гуртов ; Петрозаводский государственный университет. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск : [б. и.], 1986. - 102 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 99-100.
Кл.слова (ненормированные):
МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структуры -- параметры МДП структур -- процессы рассеяния -- генерационно-рекомбинационные процессы -- кинетические явления -- Холла эффект -- МДП фотоприемники
Доп.точки доступа:
Петрозаводский государственный университет
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Гуртов, Валерий Алексеевич.
Неравновесные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник : [учебное пособие] / В. А. Гуртов ; Петрозаводский государственный университет. ; Петрозаводский государственный университет. - Петрозаводск : [б. и.], 1986. - 102 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 99-100.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структуры -- параметры МДП структур -- процессы рассеяния -- генерационно-рекомбинационные процессы -- кинетические явления -- Холла эффект -- МДП фотоприемники
Доп.точки доступа:
Петрозаводский государственный университет
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
2.
Подробнее
Малышев, В. А.
Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на комплексную электронную проводимость лавинно-пролетных диодов / В. А. Малышев, С. С. Шибаев // Радиотехника. - N 10 (2005), С. 21-24
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
генерационно-рекомбинационные процессы -- диоды -- лавинно-пролетные диоды -- электронная проводимость диодов -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Анализируется влияние зависящих от электрического поля генерационно-рекомбинационных процессов.
Доп.точки доступа:
Шибаев, С. С.
Малышев, В. А.
Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на комплексную электронную проводимость лавинно-пролетных диодов / В. А. Малышев, С. С. Шибаев // Радиотехника. - N 10 (2005), С. 21-24
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
генерационно-рекомбинационные процессы -- диоды -- лавинно-пролетные диоды -- электронная проводимость диодов -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Анализируется влияние зависящих от электрического поля генерационно-рекомбинационных процессов.
Доп.точки доступа:
Шибаев, С. С.
3.
Подробнее
Физика полупроводниковых преобразователей / Институт нанотехнологий микроэлектроники (Москва) ; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук ; под ред А. Н. Саурова, С. В. Булярского. - Москва : [Изд-во Российской академии наук], 2018. - 276 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 9785907036307
Рубрики: полупроводниковые преобразователи--физические основы--монографии
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые полупроводниковые преобразователи -- ядерные батарейки -- электрические токи обратные -- p-n переходы -- Шоттки диоды -- спектроскопия рекомбинационная -- генерационно-рекомбинационные процессы -- вольт-амперные характеристики -- электрон-фононное взаимодействие -- перенос носителей заряда -- ОПЗ (область пространственного заряда) -- преобразователи полупроводниковые -- зарядоперенос в полупроводниковых структурах -- рекомбинация в ОПЗ полупроводниковых приборов -- обратные токи полупроводниковых преобразователей -- рекомбинация (физика полупроводников) -- генерация носителей заряда -- рекомбинация носителей заряда -- наноструктуры -- кинетические уравнения -- приемники рентгеновского излучения -- детекторы германий-литиевые -- регистраторы частиц высоких энергий -- неравновесные носители заряда -- рекомбинация туннельная
Доп.точки доступа:
Сауров, А. Н. \ред.\
Булярский, С. в. \ред.\
Институт нанотехнологий микроэлектроники (Москва)
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Физика полупроводниковых преобразователей / Институт нанотехнологий микроэлектроники (Москва) ; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук ; под ред А. Н. Саурова, С. В. Булярского. - Москва : [Изд-во Российской академии наук], 2018. - 276 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 9785907036307
| УДК |
Рубрики: полупроводниковые преобразователи--физические основы--монографии
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые полупроводниковые преобразователи -- ядерные батарейки -- электрические токи обратные -- p-n переходы -- Шоттки диоды -- спектроскопия рекомбинационная -- генерационно-рекомбинационные процессы -- вольт-амперные характеристики -- электрон-фононное взаимодействие -- перенос носителей заряда -- ОПЗ (область пространственного заряда) -- преобразователи полупроводниковые -- зарядоперенос в полупроводниковых структурах -- рекомбинация в ОПЗ полупроводниковых приборов -- обратные токи полупроводниковых преобразователей -- рекомбинация (физика полупроводников) -- генерация носителей заряда -- рекомбинация носителей заряда -- наноструктуры -- кинетические уравнения -- приемники рентгеновского излучения -- детекторы германий-литиевые -- регистраторы частиц высоких энергий -- неравновесные носители заряда -- рекомбинация туннельная
Доп.точки доступа:
Сауров, А. Н. \ред.\
Булярский, С. в. \ред.\
Институт нанотехнологий микроэлектроники (Москва)
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Page 1, Results: 3