Electronic catalog

el cat en


 

База данных: Electronic catalog FEFU

Page 1, Results: 2

Отмеченные записи: 0

621.7 В 147
Вакс, Евгений Давидович.
    Практика прецизионной лазерной обработки / Е. Д. Вакс, М. Н. Миленький, Л. Г. Сапрыкин. - Москва : Техносфера, 2013. - 695 с., [6] л. цв. ил. : ил., табл. - (Мир физики и техники ; II, 29). - Библиогр. в конце ч.. - ISBN 9785948363394
Приложения : с. 673-695

УДК

Рубрики: материалы--лазерная обработка

   металлы--лазерная обработка


Кл.слова (ненормированные):
лазерное фрезерование -- поглощение лазерного излучения -- импульсное излучение -- лазерное сверление -- лазерное резание -- сверление ультракороткими импульсами -- резание ультракороткими импульсами -- лазерная обработка отверстий -- лазерные технологические установки -- резание металлов
Доп.точки доступа:
Миленький, Михаил Николаевич
Сапрыкин, Леонид Григорьевич

Экземпляры всего: 2
Ч/З о. Русский (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Вакс, Евгений Давидович. Практика прецизионной лазерной обработки [Текст] / Е. Д. Вакс, М. Н. Миленький, Л. Г. Сапрыкин, 2013. - 695 с., [6] л. цв. ил. с.

1.

Вакс, Евгений Давидович. Практика прецизионной лазерной обработки [Текст] / Е. Д. Вакс, М. Н. Миленький, Л. Г. Сапрыкин, 2013. - 695 с., [6] л. цв. ил. с.


621.7 В 147
Вакс, Евгений Давидович.
    Практика прецизионной лазерной обработки / Е. Д. Вакс, М. Н. Миленький, Л. Г. Сапрыкин. - Москва : Техносфера, 2013. - 695 с., [6] л. цв. ил. : ил., табл. - (Мир физики и техники ; II, 29). - Библиогр. в конце ч.. - ISBN 9785948363394
Приложения : с. 673-695

УДК

Рубрики: материалы--лазерная обработка

   металлы--лазерная обработка


Кл.слова (ненормированные):
лазерное фрезерование -- поглощение лазерного излучения -- импульсное излучение -- лазерное сверление -- лазерное резание -- сверление ультракороткими импульсами -- резание ультракороткими импульсами -- лазерная обработка отверстий -- лазерные технологические установки -- резание металлов
Доп.точки доступа:
Миленький, Михаил Николаевич
Сапрыкин, Леонид Григорьевич

Экземпляры всего: 2
Ч/З о. Русский (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)


Токарев, В. Н.
    Механизм лазерного сверления сверхвысокоаспектных отверстий в полимерах / В. Н. Токарев // Квантовая электроника. - Т. 36, N 7 (2006), С. 624-637. - Библиогр.: с. 637 (38 назв. ). - Ил.: 19 рис., 1 табл.

УДК
ББК 22.34

Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника

   Физика--Оптика


Кл.слова (ненормированные):
лазерное сверление -- сверление отверстий -- сверхвысокоаспектные отверстия -- микроотверстия -- полимеры
Аннотация: Дан обзор по теоретическому и экспериментальному изучению многоимпульсного лазерного сверления глубоких отверстий в полимерах. Стационарный профиль глубокого отверстия достигается после воздействия достатчно большого числа импульсов в результате процессов самоорганизации и является новым, более устойчивым состоянием поверхности в поле интенсивного излучения.

Токарев, В. Н. Механизм лазерного сверления сверхвысокоаспектных отверстий в полимерах [Текст] / В. Н. Токарев // Квантовая электроника. - Т. 36, N 7 (2006), С. 624-637

2.

Токарев, В. Н. Механизм лазерного сверления сверхвысокоаспектных отверстий в полимерах [Текст] / В. Н. Токарев // Квантовая электроника. - Т. 36, N 7 (2006), С. 624-637



Токарев, В. Н.
    Механизм лазерного сверления сверхвысокоаспектных отверстий в полимерах / В. Н. Токарев // Квантовая электроника. - Т. 36, N 7 (2006), С. 624-637. - Библиогр.: с. 637 (38 назв. ). - Ил.: 19 рис., 1 табл.

УДК
ББК 22.34

Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника

   Физика--Оптика


Кл.слова (ненормированные):
лазерное сверление -- сверление отверстий -- сверхвысокоаспектные отверстия -- микроотверстия -- полимеры
Аннотация: Дан обзор по теоретическому и экспериментальному изучению многоимпульсного лазерного сверления глубоких отверстий в полимерах. Стационарный профиль глубокого отверстия достигается после воздействия достатчно большого числа импульсов в результате процессов самоорганизации и является новым, более устойчивым состоянием поверхности в поле интенсивного излучения.

Page 1, Results: 2

 

All acquisitions for 
Or select a month