Skip to content 
el cat en
База данных: Electronic catalog FEFU
Page 1, Results: 5
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Розеншер, Э.
Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер ; пер. с фр. под ред. О. Н. Ермакова. - Москва : Техносфера, 2006. - 592 с. : ил. - (Мир электроники ; VII, 04.). - ISBN 5948360318
ББК 32.86
Рубрики: оптоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовая механика электрона -- механика фотона -- лазерные колебания -- полупроводники -- волноводы -- фотоприемники полупроводниковые -- светоизлучающие диоды -- лазерные диоды
Доп.точки доступа:
Винтер, Б.
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Розеншер, Э.
Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер ; пер. с фр. под ред. О. Н. Ермакова. - Москва : Техносфера, 2006. - 592 с. : ил. - (Мир электроники ; VII, 04.). - ISBN 5948360318
Рубрики: оптоэлектроника
Кл.слова (ненормированные):
квантовая механика электрона -- механика фотона -- лазерные колебания -- полупроводники -- волноводы -- фотоприемники полупроводниковые -- светоизлучающие диоды -- лазерные диоды
Доп.точки доступа:
Винтер, Б.
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
2.
Подробнее
Коршунов, Федор Павлович.
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов ; Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР. - Минск : Наука и техника, 1978. - 232 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 214-227
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- кремний -- фосфид галлия -- влияние облучения на диоды -- импульсные диоды -- варикапы -- излучающие диоды -- лазерные диоды
Доп.точки доступа:
Гатальский, Геннадий Васильевич
Иванов, Геннадий Михайлович
Академия наук БССР. Институт физики твердого тела и полупроводников
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Коршунов, Федор Павлович.
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов ; Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР. - Минск : Наука и техника, 1978. - 232 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 214-227
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- кремний -- фосфид галлия -- влияние облучения на диоды -- импульсные диоды -- варикапы -- излучающие диоды -- лазерные диоды
Доп.точки доступа:
Гатальский, Геннадий Васильевич
Иванов, Геннадий Михайлович
Академия наук БССР. Институт физики твердого тела и полупроводников
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
3.
Подробнее
Харчев, О. П.
Нестабильность частоты пассивного стандарта частоты на газовой ячейке, обусловленная флуктуациями света оптической накачки [Текст] / О. П. Харчев // Радиотехника и электроника. - Т. 49, N 7 (2004), С. 893-896. - Библиогр.: с. 896 (9 назв. )
Кл.слова (ненормированные):
лазерные диоды -- оптическая накачка -- газовые ячейки -- флуктуация света
Харчев, О. П.
Нестабильность частоты пассивного стандарта частоты на газовой ячейке, обусловленная флуктуациями света оптической накачки [Текст] / О. П. Харчев // Радиотехника и электроника. - Т. 49, N 7 (2004), С. 893-896. - Библиогр.: с. 896 (9 назв. )
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
лазерные диоды -- оптическая накачка -- газовые ячейки -- флуктуация света
4.
Подробнее
Микаелян, Г. Т.
Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток / Г. Т. Микаелян // Квантовая электроника. - Т. 36, N 3 (2006), С. 222-227. - Библиогр.: с. 227 (14 назв. ). - Ил.: 8 рис.
ББК 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- лазерные диоды -- полупроводниковые лазеры -- теплоотводы -- лазерные кристаллы
Аннотация: Представлены результаты теплофизических исследований полупроводниковых лазеров, на основе которых определяются оптимальные требования к материалам, конструктивным параметрам и режимам технологического процесса монтажа мощных полупроводниковых лазеров, линеек и двумерных матриц с целью достижения наилучшего отвода тепла.
Микаелян, Г. Т.
Анализ тепловых режимов мощных полупроводниковых лазеров и наборных решеток / Г. Т. Микаелян // Квантовая электроника. - Т. 36, N 3 (2006), С. 222-227. - Библиогр.: с. 227 (14 назв. ). - Ил.: 8 рис.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- лазерные диоды -- полупроводниковые лазеры -- теплоотводы -- лазерные кристаллы
Аннотация: Представлены результаты теплофизических исследований полупроводниковых лазеров, на основе которых определяются оптимальные требования к материалам, конструктивным параметрам и режимам технологического процесса монтажа мощных полупроводниковых лазеров, линеек и двумерных матриц с целью достижения наилучшего отвода тепла.
5.
Подробнее
Лобинцов, П. А.
Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов / П. А. Лобинцов, Д. С. Мамедов, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 36, N 2 (2006), С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (3 назв. ). - Ил.: 4 рис.
ББК 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- источники излучения -- медленная деградация диодов -- лазерные диоды -- диоды
Аннотация: Исследован процесс медленной деградации партии из 48 суперлюминесцентных диодов, изготовленных из одной гетероэпитаксиальной пластины, с различными длинами активных каналов. Полученные результаты подтверждают, что перспективным техническим решением, позволяющим увеличить время жизни мощных суперлюминесцентных диодов, является конструкция с неинжектируемыми торцевыми участками активного канала, обеспечивающая снижение токовых, а следовательно и тепловых нагрузок.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
Лобинцов, П. А.
Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов / П. А. Лобинцов, Д. С. Мамедов, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 36, N 2 (2006), С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (3 назв. ). - Ил.: 4 рис.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- источники излучения -- медленная деградация диодов -- лазерные диоды -- диоды
Аннотация: Исследован процесс медленной деградации партии из 48 суперлюминесцентных диодов, изготовленных из одной гетероэпитаксиальной пластины, с различными длинами активных каналов. Полученные результаты подтверждают, что перспективным техническим решением, позволяющим увеличить время жизни мощных суперлюминесцентных диодов, является конструкция с неинжектируемыми торцевыми участками активного канала, обеспечивающая снижение токовых, а следовательно и тепловых нагрузок.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
Page 1, Results: 5