Skip to content 
el cat en
База данных: Electronic catalog FEFU
Page 1, Results: 2
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий : [учебное пособие для вузов] / [под общ. ред. Ю. Н. Коркишко]. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - (Нанотехнологии).
в 2 т. : т. 1 : Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. - 392 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 386 - 389. - ISBN 9785996303359. - ISBN 9785996303410
Рубрики: микроэлектроника--учебные издания для вузов
нанотехнологии--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
технологические процессы микроэлектроники -- гетерогенное фазообразование -- гетерогенные процессы конденсации -- эпитаксия жидкофазная -- эпитаксия твердофазная -- окисления процессы -- термодиффузионного легирования процессы -- диффузионные процессы -- модифицирование -- ионное легирование полупроводников -- монокристалы, разрушение -- полупроводниковые материалы, разрушение -- полупроводниковые пластины, разделение -- монокристаллы кремния, обработка -- полупроводники, травление -- эпитаксиальные процессы -- фотолитография
Доп.точки доступа:
Чистяков, Юрий Дмитриевич
Райнова, Юлия Петровна
Коркишко, Ю. Н. \ед.\
Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Абонемент учебной и научной литературы (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Абонемент учебной и научной литературы (1)
Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий : [учебное пособие для вузов] / [под общ. ред. Ю. Н. Коркишко]. - Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - (Нанотехнологии).
в 2 т. : т. 1 : Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. - 392 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 386 - 389. - ISBN 9785996303359. - ISBN 9785996303410
| УДК |
Рубрики: микроэлектроника--учебные издания для вузов
нанотехнологии--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
технологические процессы микроэлектроники -- гетерогенное фазообразование -- гетерогенные процессы конденсации -- эпитаксия жидкофазная -- эпитаксия твердофазная -- окисления процессы -- термодиффузионного легирования процессы -- диффузионные процессы -- модифицирование -- ионное легирование полупроводников -- монокристалы, разрушение -- полупроводниковые материалы, разрушение -- полупроводниковые пластины, разделение -- монокристаллы кремния, обработка -- полупроводники, травление -- эпитаксиальные процессы -- фотолитография
Доп.точки доступа:
Чистяков, Юрий Дмитриевич
Райнова, Юлия Петровна
Коркишко, Ю. Н. \ед.\
Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Абонемент учебной и научной литературы (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Абонемент учебной и научной литературы (1)
2.
Подробнее
Сельская, И. В.
Реальная структура и скорость роста алмазных пленок, полученных на монокристаллах (111) кремния методом химической транспортной реакции [Текст] / И. В. Сельская, В. Д. Александров, П. В. Сельский // Материаловедение. - N 6 (2004), С. 27-32
Кл.слова (ненормированные):
подложки -- алмазные пленки -- монокристаллы кремния -- рентгенодифракционные исследования -- исследования -- химическая транспортная реакция -- транспортная реакция -- текстура кремния -- кремний
Аннотация: Рентгенодифракционные исследования алмазных пленок, полученных методом химической транспортной реакции, показали, что в пленках в зависимости от параметров синтеза присутствует текстура или (110) (давление 5, 3 кПа, температуры подложки 1073, 1173, и 1273 К) , или (311) , которая выявляется при температурах 1073, 1173 К и давлениях 21, 3 и 31, 9 кПа, в остальных случаях наблюдается двойная текстура (110) + (311) . Установлено , что скорость роста алмаза при увеличении давления изменяется немонотонно.
Доп.точки доступа:
Александров, В. Д.
Сельский, П. В.
Сельская, И. В.
Реальная структура и скорость роста алмазных пленок, полученных на монокристаллах (111) кремния методом химической транспортной реакции [Текст] / И. В. Сельская, В. Д. Александров, П. В. Сельский // Материаловедение. - N 6 (2004), С. 27-32
Кл.слова (ненормированные):
подложки -- алмазные пленки -- монокристаллы кремния -- рентгенодифракционные исследования -- исследования -- химическая транспортная реакция -- транспортная реакция -- текстура кремния -- кремний
Аннотация: Рентгенодифракционные исследования алмазных пленок, полученных методом химической транспортной реакции, показали, что в пленках в зависимости от параметров синтеза присутствует текстура или (110) (давление 5, 3 кПа, температуры подложки 1073, 1173, и 1273 К) , или (311) , которая выявляется при температурах 1073, 1173 К и давлениях 21, 3 и 31, 9 кПа, в остальных случаях наблюдается двойная текстура (110) + (311) . Установлено , что скорость роста алмаза при увеличении давления изменяется немонотонно.
Доп.точки доступа:
Александров, В. Д.
Сельский, П. В.
Page 1, Results: 2