Skip to content 
el cat en
База данных: Electronic catalog FEFU
Page 1, Results: 6
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Лысенко, В.
Керамика из нанопорошка оксида цинка. Получение, структура, свойства [Текст] / В. Лысенко. // 7 nnas. Наноиндустрия : научно-технический журнал. - Москва : ЗАО «Риц Техносфера»,. - 2013. - № 1.
Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- керамика -- горячее прессование -- оптическая керамика -- синтез керамики
Лысенко, В.
Керамика из нанопорошка оксида цинка. Получение, структура, свойства [Текст] / В. Лысенко. // 7 nnas. Наноиндустрия : научно-технический журнал. - Москва : ЗАО «Риц Техносфера»,. - 2013. - № 1.
Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- керамика -- горячее прессование -- оптическая керамика -- синтез керамики
2.
Подробнее
Микроструктура и свойства электроконтактного материала Cu-(ZnO/TiO₂) [Текст] / Г. М. Зеер [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.
Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- энергодисперсионный микроанализ -- нанопорошки оксидов -- порошковая металлургия -- композиционные материалы -- оксид цинка -- титанат цинка -- электроконтактные КМ
Доп.точки доступа:
Зеер, Г. М.
Зеленкова, Е. Г.
Белецкий, В. В.
Николаев, С. В.
Кожурин, А. Н.
Кучинский, М. Ю.
Григорьева, О. А.
Микроструктура и свойства электроконтактного материала Cu-(ZnO/TiO₂) [Текст] / Г. М. Зеер [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.
Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- энергодисперсионный микроанализ -- нанопорошки оксидов -- порошковая металлургия -- композиционные материалы -- оксид цинка -- титанат цинка -- электроконтактные КМ
Доп.точки доступа:
Зеер, Г. М.
Зеленкова, Е. Г.
Белецкий, В. В.
Николаев, С. В.
Кожурин, А. Н.
Кучинский, М. Ю.
Григорьева, О. А.
3.
Подробнее
Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения [Текст] / Н. П. Клочко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- высокогидрофобные наноструктурированные слои -- метод импульсного электроосаждения -- эффект лепеска розы -- наноструктуры ZnO
Доп.точки доступа:
Клочко, Н. П.
Клепикова, Е. С.
Копач, В. Р.
Хрипунов, Г. С.
Мягченко, Ю. А.
Мельничук, Е. Е.
Любов, В. Н.
Копач, А. В.
Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения [Текст] / Н. П. Клочко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- высокогидрофобные наноструктурированные слои -- метод импульсного электроосаждения -- эффект лепеска розы -- наноструктуры ZnO
Доп.точки доступа:
Клочко, Н. П.
Клепикова, Е. С.
Копач, В. Р.
Хрипунов, Г. С.
Мягченко, Ю. А.
Мельничук, Е. Е.
Любов, В. Н.
Копач, А. В.
4.
Подробнее
Кукушкин, С. А.
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 7.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- оксид цинка -- метод молекулярного наслаивания -- эпитаксиальный рост -- тонкие пленки
Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.
Романычев, А. И.
Кукушкин, С. А.
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 7.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- оксид цинка -- метод молекулярного наслаивания -- эпитаксиальный рост -- тонкие пленки
Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.
Романычев, А. И.
5.
Подробнее
Концентрация азота в пленках оксида цинка, выращенных методом магнетронного распыления в плазме Ar и NO / О. В. Кононенко [и др. ]; ???? Поступила в редакцию 26. 01. 2006 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 31-36. - Библиогр.: с. 36 (13 назв. ). - Ил.
ББК 32.84 + 22.37
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- азот -- оксид цинка -- пленки оксида цинка -- плазма -- магнетронное распыление -- подложки -- подложки сапфира -- радиочастотное магнетронное распыление -- осаждение -- распыляющая плазма -- полупроводники
Аннотация: Пленки оксида цинка были выращены на подложках сапфира (0001) с использованием метода радиочастотного магнетронного распыления в плазме смеси аргона и NO. Рабочее давление во время осаждения было около 10 м торр, отношение Ar/NO варьировалось от 0 до 90. Было обнаружено, что уровень концентрации азота в пленках зависит не только от количества азота в ростовой атмосфере, но и отношения Ar к NO в распыляющей плазме. Наибольшая концентрация азота (4. 3 %) была получена в пленках, осажденных при температуре подложки 300&. ;C и отношении Ar: NO равным 90: 1. В пленках, полученных при этих условиях, было обнаружено наличие связей Zn-N, а связи N-O отсутствовали.
Доп.точки доступа:
Кононенко, О. В.; ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Noh, Y. S.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Kim, T. W.; Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, Korea
Choi, W. K.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Концентрация азота в пленках оксида цинка, выращенных методом магнетронного распыления в плазме Ar и NO / О. В. Кононенко [и др. ]; ???? Поступила в редакцию 26. 01. 2006 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 31-36. - Библиогр.: с. 36 (13 назв. ). - Ил.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- азот -- оксид цинка -- пленки оксида цинка -- плазма -- магнетронное распыление -- подложки -- подложки сапфира -- радиочастотное магнетронное распыление -- осаждение -- распыляющая плазма -- полупроводники
Аннотация: Пленки оксида цинка были выращены на подложках сапфира (0001) с использованием метода радиочастотного магнетронного распыления в плазме смеси аргона и NO. Рабочее давление во время осаждения было около 10 м торр, отношение Ar/NO варьировалось от 0 до 90. Было обнаружено, что уровень концентрации азота в пленках зависит не только от количества азота в ростовой атмосфере, но и отношения Ar к NO в распыляющей плазме. Наибольшая концентрация азота (4. 3 %) была получена в пленках, осажденных при температуре подложки 300&. ;C и отношении Ar: NO равным 90: 1. В пленках, полученных при этих условиях, было обнаружено наличие связей Zn-N, а связи N-O отсутствовали.
Доп.точки доступа:
Кононенко, О. В.; ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Noh, Y. S.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Kim, T. W.; Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, Korea
Choi, W. K.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
6.
Подробнее
Михайличенко, А. И.
Извлечение цинка из агломерата отходов отработанных сухих гальванических элементов / А. И. Михайличенко, Е. С. Свердел, Г. А. Ягодин // Химическая промышленность сегодня. - N 7 (2009), С. 24-30. - Библиогр.: c. 30 (9 назв. )
ББК 31.2 + 34.23/25
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Технология металлов
Металловедение цветных металлов и сплавов
Кл.слова (ненормированные):
отходы солевых гальванических элементов -- выщелачивание -- сухие гальванические элементы -- водный раствор аммиака -- оксид цинка -- диоксид марганца -- агломерат -- комплекс [Zn (NH[3]) [4]] (OH) [2] -- жидкая фаза -- твердая фаза -- извлечение цинка
Аннотация: Изучены условия извлечения цинка из агломерата отходов солевых и щелочных сухих гальванических элементов - порошкообразной смеси оксида цинка и диоксида марганца. При выщелачивании концентрированными водными растворами аммиака цинк практически нацело переходит в жидкую фазу в виде комплекса [Zn (NH[3]) [4]] (OH) [2], а марганец остается в твердой фазе.
Доп.точки доступа:
Свердел, Е. С.
Ягодин, Г. А.
Михайличенко, А. И.
Извлечение цинка из агломерата отходов отработанных сухих гальванических элементов / А. И. Михайличенко, Е. С. Свердел, Г. А. Ягодин // Химическая промышленность сегодня. - N 7 (2009), С. 24-30. - Библиогр.: c. 30 (9 назв. )
| УДК |
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Технология металлов
Металловедение цветных металлов и сплавов
Кл.слова (ненормированные):
отходы солевых гальванических элементов -- выщелачивание -- сухие гальванические элементы -- водный раствор аммиака -- оксид цинка -- диоксид марганца -- агломерат -- комплекс [Zn (NH[3]) [4]] (OH) [2] -- жидкая фаза -- твердая фаза -- извлечение цинка
Аннотация: Изучены условия извлечения цинка из агломерата отходов солевых и щелочных сухих гальванических элементов - порошкообразной смеси оксида цинка и диоксида марганца. При выщелачивании концентрированными водными растворами аммиака цинк практически нацело переходит в жидкую фазу в виде комплекса [Zn (NH[3]) [4]] (OH) [2], а марганец остается в твердой фазе.
Доп.точки доступа:
Свердел, Е. С.
Ягодин, Г. А.
Page 1, Results: 6