Electronic catalog

el cat en


 

База данных: Electronic catalog FEFU

Page 1, Results: 9

Отмеченные записи: 0

621.315 Р 78

    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1977 - .
   ч. 1 / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии. - 314 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- полупроводниковые пленки -- кристаллизация -- химическое состояние примесей -- методики роста кристаллов -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. ч. 1, 1977. - 314 с. с.

1.

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. ч. 1, 1977. - 314 с. с.


621.315 Р 78

    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1977 - .
   ч. 1 / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии. - 314 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- полупроводниковые пленки -- кристаллизация -- химическое состояние примесей -- методики роста кристаллов -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)



    Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013) [Текст] / Ю. Г. Сидоров [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 11.

Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероэпитаксиальная структура -- рентгеновская дифракция -- электронная микроскопия -- полупроводниковое материаловедение -- дислокации несоответствия
Доп.точки доступа:
Сидоров, Ю. Г.
Якушев, М. В.
Варавин, В. С.
Колесников, А. В.
Труханов, Е. М.
Сабинина, И. В.
Лошкарев, И. Д.

Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013) [Текст] / Ю. Г. Сидоров [и др.]. - С. 2095-2101. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 11.

2.

Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013) [Текст] / Ю. Г. Сидоров [и др.]. - С. 2095-2101. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 11.




    Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013) [Текст] / Ю. Г. Сидоров [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 11.

Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероэпитаксиальная структура -- рентгеновская дифракция -- электронная микроскопия -- полупроводниковое материаловедение -- дислокации несоответствия
Доп.точки доступа:
Сидоров, Ю. Г.
Якушев, М. В.
Варавин, В. С.
Колесников, А. В.
Труханов, Е. М.
Сабинина, И. В.
Лошкарев, И. Д.

621.315 Р 78

    Рост полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии ; отв. ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука, 1984 - .
   ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии (Новосибирск). - 157 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- пленки -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники -- молекулярная эпитаксия -- импульсная перекристаллизация -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Александров, Л. Н. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников
Институт неорганической химии (Новосибирск)

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии ; отв. ред. Л. Н. Александров. ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов, 1984. - 157 с. с.

3.

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии ; отв. ред. Л. Н. Александров. ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов, 1984. - 157 с. с.


621.315 Р 78

    Рост полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии ; отв. ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука, 1984 - .
   ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт физики полупроводников, Институт неорганической химии (Новосибирск). - 157 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- пленки -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники -- молекулярная эпитаксия -- импульсная перекристаллизация -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Александров, Л. Н. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников
Институт неорганической химии (Новосибирск)

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

621.315 Ф 503

    Физико-химия полупроводникового материаловедения : [сборник] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]. - Воронеж : Изд-во Воронежского университета, 1979. - 180 с. : ил., схем. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводниковые устройства -- электрическое поле -- барьер Шоттки -- комплексообразующие реагенты -- щелочные металлы
Доп.точки доступа:
Угай, Я. А. \ред.\

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Физико-химия полупроводникового материаловедения [Текст] : [сборник] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]., 1979. - 180 с. с.

4.

Физико-химия полупроводникового материаловедения [Текст] : [сборник] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]., 1979. - 180 с. с.


621.315 Ф 503

    Физико-химия полупроводникового материаловедения : [сборник] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]. - Воронеж : Изд-во Воронежского университета, 1979. - 180 с. : ил., схем. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводниковые устройства -- электрическое поле -- барьер Шоттки -- комплексообразующие реагенты -- щелочные металлы
Доп.точки доступа:
Угай, Я. А. \ред.\

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

621.38 М 341

    Материалы электронной техники : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. - Новосибирск : Наука, 1983 - .
   Ч. 2 : Состав, структура и электрофизические свойства / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук. - 186 c. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
литография -- рост кристаллов в космосе -- структуры кристаллов -- структуры твердотельные -- системы микроэлектроники -- твердотельная электроника -- полупроводниковое материаловедение
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Федор Андреевич \ед.\
Мохосоев, Маркс Васильевич \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Бурятский филиал. Бурятский институт естественных наук

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Материалы электронной техники [Текст] : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. Ч. 2 : Состав, структура и электрофизические свойства, 1983. - 186 c. с.

5.

Материалы электронной техники [Текст] : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. Ч. 2 : Состав, структура и электрофизические свойства, 1983. - 186 c. с.


621.38 М 341

    Материалы электронной техники : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. - Новосибирск : Наука, 1983 - .
   Ч. 2 : Состав, структура и электрофизические свойства / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук. - 186 c. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
литография -- рост кристаллов в космосе -- структуры кристаллов -- структуры твердотельные -- системы микроэлектроники -- твердотельная электроника -- полупроводниковое материаловедение
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Федор Андреевич \ед.\
Мохосоев, Маркс Васильевич \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Бурятский филиал. Бурятский институт естественных наук

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

621.38 М 341

    Материалы электронной техники : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. - Новосибирск : Наука, 1983 - .
   Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук. - 213 c. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- монокристаллические эпитаксиальные слои -- теория роста монокристаллов -- искусственная эпитаксия -- графоэпитаксия -- формообразование кристаллов -- полупроводниковое материаловедение
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Федор Андреевич \ед.\
Мохосоев, Маркс Васильевич \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Бурятский филиал. Бурятский институт естественных наук

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Материалы электронной техники [Текст] : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза, 1983. - 213 c. с.

6.

Материалы электронной техники [Текст] : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза, 1983. - 213 c. с.


621.38 М 341

    Материалы электронной техники : [сборник] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук ; [отв. ред. Ф. А. Кузнецов, М. В. Мохосоев]. - Новосибирск : Наука, 1983 - .
   Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Бурятский филиал, Бурятский институт естественных наук. - 213 c. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- монокристаллические эпитаксиальные слои -- теория роста монокристаллов -- искусственная эпитаксия -- графоэпитаксия -- формообразование кристаллов -- полупроводниковое материаловедение
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Федор Андреевич \ед.\
Мохосоев, Маркс Васильевич \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Бурятский филиал. Бурятский институт естественных наук

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

621.315 Р 78

    Рост полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1984 - .
   ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников (Новосибирск). - 157 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- пленки -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники -- легирование -- кристаллография -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Институт физики полупроводников (Новосибирск)

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов, 1984. - 157 с. с.

7.

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов, 1984. - 157 с. с.


621.315 Р 78

    Рост полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов. - Новосибирск : Наука, 1984 - .
   ч. 2 : Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт неорганической химии, Институт физики полупроводников (Новосибирск). - 157 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- пленки -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники -- легирование -- кристаллография -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт неорганической химии
Институт физики полупроводников (Новосибирск)

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

537
Р 78
621.315 Р 78 / Р 78-Хранение Отдела организации и использования фонда


    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука, 1977 - .
   ч. 2 / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт физики полупроводников. - 328 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- полупроводниковые пленки -- эпитаксиальные пленки -- кристаллизация -- ионно-плазменное испарение -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Александров, Л. Н. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров. ч. 2, 1977. - 328 с. с.

8.

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров. ч. 2, 1977. - 328 с. с.


537
Р 78
621.315 Р 78 / Р 78-Хранение Отдела организации и использования фонда


    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров. - Новосибирск : Наука, 1977 - .
   ч. 2 / Академия наук СССР, Сибирское отделение; Институт физики полупроводников. - 328 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые кристаллы -- полупроводниковые пленки -- эпитаксиальные пленки -- кристаллизация -- ионно-плазменное испарение -- полупроводниковое материаловедение -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Александров, Л. Н. \ед.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение; Институт физики полупроводников

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

537
Ф 503
621.315 Ф 503 / Ф 503-Хранение Отдела организации и использования фонда
537 Ф 503 / Ф 503-Ч/З о. Русский


    Физико-химия полупроводникового материаловедения : [сборник статей] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]. - Воронеж : Изд-во Воронежского университета, 1978. - 171 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковое материаловедение -- полупроводниковые устройства -- физика полупроводникового материаловедения -- химия полупроводникового материаловедения -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Угай, Я. А. \ред.\

Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Ч/З о. Русский (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Ч/З о. Русский (1)

Физико-химия полупроводникового материаловедения [Текст] : [сборник статей] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.], 1978. - 171 с. с.

9.

Физико-химия полупроводникового материаловедения [Текст] : [сборник статей] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.], 1978. - 171 с. с.


537
Ф 503
621.315 Ф 503 / Ф 503-Хранение Отдела организации и использования фонда
537 Ф 503 / Ф 503-Ч/З о. Русский


    Физико-химия полупроводникового материаловедения : [сборник статей] / [ред. кол. : Я. А. Угай и др.]. - Воронеж : Изд-во Воронежского университета, 1978. - 171 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковое материаловедение -- полупроводниковые устройства -- физика полупроводникового материаловедения -- химия полупроводникового материаловедения -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Угай, Я. А. \ред.\

Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Ч/З о. Русский (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), Ч/З о. Русский (1)

Page 1, Results: 9

 

All acquisitions for 
Or select a month