Skip to content 
el cat en
База данных: Electronic catalog FEFU
Page 1, Results: 5
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Игнатюк, В. А.
Исследование фотовольтаических свойств эпитаксиальных слоев теллурида кадмия / Игнатюк В.А.,Новик Ф.Т.; Под ред. В.В.Ветер; ДВГУ // Физика твердого тела. - 1972,,С.339-342
Кл.слова (ненормированные):
краеведение -- ДВГУ -- ДВГУ (труды преподавателей) -- фотовольтаические свойства -- теллурид кадмия -- исследования
Доп.точки доступа:
Новик Ф.Т. \авт.\
Ветер, В. В \ред.\
Дальневосточный государственный университет (Владивосток)
Игнатюк, В. А.
Исследование фотовольтаических свойств эпитаксиальных слоев теллурида кадмия / Игнатюк В.А.,Новик Ф.Т.; Под ред. В.В.Ветер; ДВГУ // Физика твердого тела. - 1972,,С.339-342
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
краеведение -- ДВГУ -- ДВГУ (труды преподавателей) -- фотовольтаические свойства -- теллурид кадмия -- исследования
Доп.точки доступа:
Новик Ф.Т. \авт.\
Ветер, В. В \ред.\
Дальневосточный государственный университет (Владивосток)
2.
Подробнее
Антипов, В. В.
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- карбид кремния -- буферный слой -- полупроводники -- эпитаксиальный рост
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Антипов, В. В.
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- карбид кремния -- буферный слой -- полупроводники -- эпитаксиальный рост
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
3.
Подробнее
Махний, В. П.
Полуизолирующие слои теллурида кадмия / В. П. Махний // Журнал технической физики. - Т. 75, N 11 (2005), С. 122-123. - Библиогр.: c. 123 (4 назв. )
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокоомные слои -- полуизолирующие слои -- теллурид кадмия
Аннотация: Диффузией олова в подложки теллурида кадмия с любыми типами и величиной проводимости получены слои с удельным сопротивлением ~1010 Omega*cm при 300 K.
Махний, В. П.
Полуизолирующие слои теллурида кадмия / В. П. Махний // Журнал технической физики. - Т. 75, N 11 (2005), С. 122-123. - Библиогр.: c. 123 (4 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
высокоомные слои -- полуизолирующие слои -- теллурид кадмия
Аннотация: Диффузией олова в подложки теллурида кадмия с любыми типами и величиной проводимости получены слои с удельным сопротивлением ~1010 Omega*cm при 300 K.
4.
Подробнее
Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- теллурид кадмия -- субмонослои -- экситон -- экситон-фононная люминесценция -- теллурид цинка
Доп.точки доступа:
Агекян, В. Ф.
Серов, А. Ю.
Философов, Н. Г.
Штром, И. В.
Karczewski, G.
Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- теллурид кадмия -- субмонослои -- экситон -- экситон-фононная люминесценция -- теллурид цинка
Доп.точки доступа:
Агекян, В. Ф.
Серов, А. Ю.
Философов, Н. Г.
Штром, И. В.
Karczewski, G.
5.
Подробнее
Музафарова, С. А.
Влияние облучения гамма-квантами на крупноблочные структуры теллурида кадмия / С. А. Музафарова, А. А. Усаров // Атомная энергия. - Т. 104, вып. 2 (2008), С. 122-124
ББК 22.38
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- гамма-кванты -- детекторы ядерного излучения -- полупроводники -- диэлектрики
Аннотация: Целью настоящей работы является исследование структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник на основе теллурида кадмия, используемых в качестве детекторов ядерного излучения в широком интервале энергии ионизирующего излучения. По усовершенствованной технологии были созданы детекторные структуры, где базовым материалом служили поликристаллические пленки р-CdTe со столбчатой структурой. Основными носителями заряда являются дырки, образованные сублимацией материала в потоке водорода.
Доп.точки доступа:
Усаров, А. А.
Музафарова, С. А.
Влияние облучения гамма-квантами на крупноблочные структуры теллурида кадмия / С. А. Музафарова, А. А. Усаров // Атомная энергия. - Т. 104, вып. 2 (2008), С. 122-124
| УДК |
Рубрики: Физика
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- гамма-кванты -- детекторы ядерного излучения -- полупроводники -- диэлектрики
Аннотация: Целью настоящей работы является исследование структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник на основе теллурида кадмия, используемых в качестве детекторов ядерного излучения в широком интервале энергии ионизирующего излучения. По усовершенствованной технологии были созданы детекторные структуры, где базовым материалом служили поликристаллические пленки р-CdTe со столбчатой структурой. Основными носителями заряда являются дырки, образованные сублимацией материала в потоке водорода.
Доп.точки доступа:
Усаров, А. А.
Page 1, Results: 5