Electronic catalog

    Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO₂ с помощью электростатической силовой микроскопии [Текст] / М. С. Дунаевский [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 5.

Кл.слова (ненормированные):
Ge-нанокристалл -- устойчивая зарядовая область -- SiO₂ -- электростатическая силовая микроскопия -- высокотемпературный отжиг -- ионная имплантация
Доп.точки доступа:
Дунаевский, М. С.
Алексеев, П. А.
Дементьев, П. А.
Гущина, Е. В.
Берковиц, В. Л.
Lahderanta, E.
Титков, А. Н.

Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO₂ с помощью электростатической силовой микроскопии [Текст] / М. С. Дунаевский [и др.]. - С. 50-56. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 5.