Electronic catalog

el cat en


 

База данных: ELS Lan

Page 1, Results: 2

Отмеченные записи: 0

620.22:621.382(07
Александров, С. Е.
    Технология полупроводниковых материалов / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 240 с.. - ISBN 978-5-8114-1290-7
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168401

УДК

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
алюминий -- бестигельная зонная плавка -- бинарное соединение -- бриджмена - стокбаргера метод -- бриджмена-стокбаргера метод -- вернейля метод -- выращивание монокристаллов -- выращивание полупроводниковых монокристаллов -- галлий -- германий -- глубокая -- глубокая очистка веществ -- глубокая очистка исходных веществ -- индий -- кирополуса метод -- киропулоса метод -- компонент -- компонент летучий -- компонент нелетучий -- кремний -- летучий -- механизм автокапиллярный -- микроэлектронные схемы интегральные - производство -- монокристалл -- монокристаллы -- мышьяк -- нономатериалы -- очистка -- очистка полупроводниковых материалов -- полупроводник -- полупроводниковое соединение -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы - физико-химические свойства -- полупроводниковые материалы полупроводники -- примесь -- расплав -- синтез -- синтез полупроводниковых соединений -- синтез метастабильный -- система нитридная -- строение кристаллическое -- технология -- технология монокристаллов -- технология полупроводников -- учебник и пособие -- учебные пособия -- фаза метастабильная -- формообразование -- фосфор -- чохральского -- чохральского метод -- электроника -- электротехника
Аннотация: Представлена технология и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных соединений, необходимые для обоснования рациональных приемов их глубокой очистки, синтеза и получения в виде массивных монокристаллов. Приведены традиционные и новейшие технологические схемы и технические решения, даны краткие описания оборудования, позволяющие формировать оптимальные схемы производства с учетом требований к качеству продукции. Пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по магистерской программе «Современные проблемы материаловедения» направления подготовки магистров «Материаловедение и технология материалов». Оно также может быть использовано при обучении в системах повышения квалификации и в учреждениях дополнительного профессионального образования.

Доп.точки доступа:
Греков, Ф. Ф.

Александров, С. Е. Технология полупроводниковых материалов [Электронный ресурс] , 2022. - 240 с.

1.

Александров, С. Е. Технология полупроводниковых материалов [Электронный ресурс] , 2022. - 240 с.

Открыть исходную запись


620.22:621.382(07
Александров, С. Е.
    Технология полупроводниковых материалов / С. Е. Александров, Ф. Ф. Греков. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 240 с.. - ISBN 978-5-8114-1290-7
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168401

УДК

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
алюминий -- бестигельная зонная плавка -- бинарное соединение -- бриджмена - стокбаргера метод -- бриджмена-стокбаргера метод -- вернейля метод -- выращивание монокристаллов -- выращивание полупроводниковых монокристаллов -- галлий -- германий -- глубокая -- глубокая очистка веществ -- глубокая очистка исходных веществ -- индий -- кирополуса метод -- киропулоса метод -- компонент -- компонент летучий -- компонент нелетучий -- кремний -- летучий -- механизм автокапиллярный -- микроэлектронные схемы интегральные - производство -- монокристалл -- монокристаллы -- мышьяк -- нономатериалы -- очистка -- очистка полупроводниковых материалов -- полупроводник -- полупроводниковое соединение -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы - физико-химические свойства -- полупроводниковые материалы полупроводники -- примесь -- расплав -- синтез -- синтез полупроводниковых соединений -- синтез метастабильный -- система нитридная -- строение кристаллическое -- технология -- технология монокристаллов -- технология полупроводников -- учебник и пособие -- учебные пособия -- фаза метастабильная -- формообразование -- фосфор -- чохральского -- чохральского метод -- электроника -- электротехника
Аннотация: Представлена технология и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. Рассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных соединений, необходимые для обоснования рациональных приемов их глубокой очистки, синтеза и получения в виде массивных монокристаллов. Приведены традиционные и новейшие технологические схемы и технические решения, даны краткие описания оборудования, позволяющие формировать оптимальные схемы производства с учетом требований к качеству продукции. Пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по магистерской программе «Современные проблемы материаловедения» направления подготовки магистров «Материаловедение и технология материалов». Оно также может быть использовано при обучении в системах повышения квалификации и в учреждениях дополнительного профессионального образования.

Доп.точки доступа:
Греков, Ф. Ф.

621.3.049.77(07)+
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 172 с.. - ISBN 978-5-507-45479-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- кремний -- германий -- карбид кремния -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид алюминия -- метод чохральского -- зонная плавка -- легированные кристаллы -- подпитка из жидкой фазы -- метод плавающего тигля -- синтез
Аннотация: Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 172 с.

2.

Александрова, О. А. Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу [Электронный ресурс] : учебник для вузов, 2023. - 172 с.

Открыть исходную запись


621.3.049.77(07)+
Александрова, О. А.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 172 с.. - ISBN 978-5-507-45479-2
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки

УДК
ББК 32.844я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- кремний -- германий -- карбид кремния -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид алюминия -- метод чохральского -- зонная плавка -- легированные кристаллы -- подпитка из жидкой фазы -- метод плавающего тигля -- синтез
Аннотация: Рассмотрены основные процессы подготовки исходного сырья и синтеза полупроводниковых материалов. Приводятся методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.

Page 1, Results: 2

 

All acquisitions for 
Or select a month