Создание наноструктур в гетеропереходе с глубоким залеганием двумерного электронного газа методом высоковольтной анодно-окислительной литографии с использованием атомно-силового микроскопа/Мельников, М. Ю.

Создание наноструктур в гетеропереходе с глубоким залеганием двумерного электронного газа методом высоковольтной анодно-окислительной литографии с использованием атомно-силового микроскопа/Мельников, М. Ю.

https://library.dvfu.ru/en/lib/document/EK/914775F0-530F-467D-AFFD-7162B8510B0A/

Мельников, М. Ю.
    Создание наноструктур в гетеропереходе с глубоким залеганием двумерного электронного газа методом высоковольтной анодно-окислительной литографии с использованием атомно-силового микроскопа / М. Ю. Мельников, В. С. Храпай, D. Schuh // Приборы и техника эксперимента. - N 4 (2008), С. 137-144. - Библиогр.: с. 143-144 (33 назв. )

УДК

539.2

ББК 22.37

Рубрики: Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовые микроскопы -- анодное оксидирование -- наноструктуры -- гетеропереходы -- гетероструктуры -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Описана методика высоковольтного локального анодного оксидирования поверхности гетероструктур на основе Ga[Al]As с использованием атомно-силового микроскопа.
Доп.точки доступа:
Храпай, В. С.
Schuh, D.

QR code of document