Особенности кинетики электролитического анодирования наноструктур Ta-GaAs и Nb-GaAs/Королев, А. Н.

 

QR code of document

Ratings: 0


Королев, А. Н.
    Особенности кинетики электролитического анодирования наноструктур Ta-GaAs и Nb-GaAs / А. Н. Королев, В. Н. Котов, Л. П. Милешко // Физика и химия обработки материалов. - N 1 (2009), С. 42-44

УДК
621.315.592
ББК 31.233

Рубрики: Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- электролитическое анодирование -- комбинированные оксидные пленки -- полупроводники -- оксидные пленки металлов -- вентильные металлы -- имплантирование -- диэлектрические покрытия -- легированные диэлектрические покрытия -- двухслойные диэлектрические покрытия
Аннотация: Методом анодного окисления пленок Ta и Nb на GaAsp-типа получены комбинированные оксидные пленки металлов и полупроводника.
Доп.точки доступа:
Котов, В. Н.
Милешко, Л. П.

Авторизуйтесь для получения дополнительных услуг

Similar publications by classification

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур/Костишко, Б. М.
Метод спектроскопии электронного захвата для исследований электронной структуры молекул органических полупроводников/Пшеничнюк, С. А.
Кремний - материал наноэлектроники/Герасименко, Николай Николаевич.
Моделирование современных перспективных кремниевых технологий, основанных на управлении процессами кластериции и преципитации кислорода в кремнии/Светухин, В. В.
Синтез, структура, свойства оксидных гетероструктур анодных пленок, сенсоры на их основе/Ефименко, Александр Васильевич.