Electronic catalog

el cat en


 

База данных: Electronic catalog FEFU

Page 1, Results: 25

Отмеченные записи: 0



    Роль и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.

Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы GaN -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- кремниевая подложка -- карбид кремния -- буферный слой
Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.
Котляр, К. П.
Илькив, И. В.
Сошников, И. П.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Никитина, Е. В.
Цырлин, Г. Э.

Роль и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.]. - С. 1886-1889. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.

1.

Роль и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.]. - С. 1886-1889. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.




    Роль и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Р. Р. Резник [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 10.

Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы GaN -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- кремниевая подложка -- карбид кремния -- буферный слой
Доп.точки доступа:
Резник, Р. Р.
Котляр, К. П.
Илькив, И. В.
Сошников, И. П.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.
Никитина, Е. В.
Цырлин, Г. Э.

535 В 317
Верещагин, Игорь Константинович.
    Электролюминесценция кристаллов / И. К. Верещагин. - Москва : Наука, 1974. - 279 c. : ил. - Библиогр. : с. 264-279.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
люминесценция кристаллов -- порошкообразные фосфоры -- карбид кремния -- окись цинка -- кристаллы -- сульфид цинка -- инжекционная электролюминесценция -- электролюминесценция кристаллов
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Верещагин, Игорь Константинович. Электролюминесценция кристаллов [Текст] / И. К. Верещагин., 1974. - 279 c. с.

2.

Верещагин, Игорь Константинович. Электролюминесценция кристаллов [Текст] / И. К. Верещагин., 1974. - 279 c. с.


535 В 317
Верещагин, Игорь Константинович.
    Электролюминесценция кристаллов / И. К. Верещагин. - Москва : Наука, 1974. - 279 c. : ил. - Библиогр. : с. 264-279.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
люминесценция кристаллов -- порошкообразные фосфоры -- карбид кремния -- окись цинка -- кристаллы -- сульфид цинка -- инжекционная электролюминесценция -- электролюминесценция кристаллов
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)



    Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния [Текст] / В. К. Егоров [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 4.

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- карбид кремния -- топохимическое превращение -- структурная гетероэпитаксия -- монокристаллическое строение
Доп.точки доступа:
Егоров, В. К.
Егоров, Е. В.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.

Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния [Текст] / В. К. Егоров [и др.]. - С. 755-761. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 4.

3.

Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния [Текст] / В. К. Егоров [и др.]. - С. 755-761. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 4.




    Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния [Текст] / В. К. Егоров [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 4.

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- карбид кремния -- топохимическое превращение -- структурная гетероэпитаксия -- монокристаллическое строение
Доп.точки доступа:
Егоров, В. К.
Егоров, Е. В.
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.

621.36
Э 455


    Электротермия : электрические методы получения высоких температур и их использование в технике:на основе переработанных и значительно дополненных материалов немецкого сборника М.Пирани / сост.Н.П.Божко,А.Г.Елисеев,И.А.Косякова,Л.Я.Марковский,Д.Л.Оршанский,А.Н.Соколов;под ред.Д.Л.Оршанского. - [Изд.больш.форм.]. - Л.-М. : ГОНТИ, 1939. - 568с. : фиг.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
электротермия -- электрометаллургия -- электроэнергия для питания электрических печей,производство. -- электрические печи,систематика. -- электротермическое нагревание и его применение в черной металлургии -- электроплавка цветных металлов -- углеродистые материалы применяемые в электротермии -- угольные и графитовые электроды -- графитирование -- карбид кремния и его производные -- электротермические методы получения окиси алюминия -- электроплавка окислов и горных пород -- плавленный кварц -- цемент глиноземистый -- карбид кальция -- черный цианид -- бария окиси и сульфиды -- цианамид кальция -- фосфор и фосфорная кислота -- сероуглерод
Свободных экз. нет

Электротермия [Текст] : электрические методы получения высоких температур и их использование в технике:на основе переработанных и значительно дополненных материалов немецкого сборника М.Пирани / сост.Н.П.Божко,А.Г.Елисеев,И.А.Косякова,Л.Я.Марковский,Д.Л.Оршанский,А.Н.Соколов;под ред.Д.Л.Оршанского, 1939. - 568с. с.

4.

Электротермия [Текст] : электрические методы получения высоких температур и их использование в технике:на основе переработанных и значительно дополненных материалов немецкого сборника М.Пирани / сост.Н.П.Божко,А.Г.Елисеев,И.А.Косякова,Л.Я.Марковский,Д.Л.Оршанский,А.Н.Соколов;под ред.Д.Л.Оршанского, 1939. - 568с. с.


621.36
Э 455


    Электротермия : электрические методы получения высоких температур и их использование в технике:на основе переработанных и значительно дополненных материалов немецкого сборника М.Пирани / сост.Н.П.Божко,А.Г.Елисеев,И.А.Косякова,Л.Я.Марковский,Д.Л.Оршанский,А.Н.Соколов;под ред.Д.Л.Оршанского. - [Изд.больш.форм.]. - Л.-М. : ГОНТИ, 1939. - 568с. : фиг.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
электротермия -- электрометаллургия -- электроэнергия для питания электрических печей,производство. -- электрические печи,систематика. -- электротермическое нагревание и его применение в черной металлургии -- электроплавка цветных металлов -- углеродистые материалы применяемые в электротермии -- угольные и графитовые электроды -- графитирование -- карбид кремния и его производные -- электротермические методы получения окиси алюминия -- электроплавка окислов и горных пород -- плавленный кварц -- цемент глиноземистый -- карбид кальция -- черный цианид -- бария окиси и сульфиды -- цианамид кальция -- фосфор и фосфорная кислота -- сероуглерод
Свободных экз. нет


Шиганов, И. Н.
    Нанесение композиционного покрытия с частицами SiC на поверхность алюминиевых сплавов методом лазерной инжекции [Текст] / И. Н. Шиганов, П. Е. Самарин. // 7 nnas. Сварочное производство : ежемесячный научно-технический и производственный журнал. - Москва : Изд. Центр «Технология машиностроения»,. - 2016. - № 2.

Кл.слова (ненормированные):
лазерная инжекция -- композиционное покрытие -- алюминиевый сплав -- частицы SiC -- подложка -- карбид кремния
Доп.точки доступа:
Самарин, П. Е.

Шиганов, И. Н. Нанесение композиционного покрытия с частицами SiC на поверхность алюминиевых сплавов методом лазерной инжекции [Текст] / И. Н. Шиганов, П. Е. Самарин. - С. 17-20. с. // Сварочное производство : ежемесячный научно-технический и производственный журнал. - Москва : Изд. Центр «Технология машиностроения»,. - 2016. - № 2.

5.

Шиганов, И. Н. Нанесение композиционного покрытия с частицами SiC на поверхность алюминиевых сплавов методом лазерной инжекции [Текст] / И. Н. Шиганов, П. Е. Самарин. - С. 17-20. с. // Сварочное производство : ежемесячный научно-технический и производственный журнал. - Москва : Изд. Центр «Технология машиностроения»,. - 2016. - № 2.



Шиганов, И. Н.
    Нанесение композиционного покрытия с частицами SiC на поверхность алюминиевых сплавов методом лазерной инжекции [Текст] / И. Н. Шиганов, П. Е. Самарин. // 7 nnas. Сварочное производство : ежемесячный научно-технический и производственный журнал. - Москва : Изд. Центр «Технология машиностроения»,. - 2016. - № 2.

Кл.слова (ненормированные):
лазерная инжекция -- композиционное покрытие -- алюминиевый сплав -- частицы SiC -- подложка -- карбид кремния
Доп.точки доступа:
Самарин, П. Е.



    Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа [Текст] / М. Е. Левинштнйн [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.

Кл.слова (ненормированные):
высоковольтный тиристор -- карбид кремния -- блокирующая база n-типа -- тиристорная структура -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Левинштейн, М. Е.
Мнацаканов, Т. Т.
Юрков, С. Н.
Тандоев, А. Г.
Sei-Hyung Ryu.
Palmour, J. W.

Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа [Текст] / М. Е. Левинштнйн [и др.]. - С. 408-414. с. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.

6.

Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа [Текст] / М. Е. Левинштнйн [и др.]. - С. 408-414. с. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.




    Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой n-типа [Текст] / М. Е. Левинштнйн [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.

Кл.слова (ненормированные):
высоковольтный тиристор -- карбид кремния -- блокирующая база n-типа -- тиристорная структура -- полупроводники
Доп.точки доступа:
Левинштейн, М. Е.
Мнацаканов, Т. Т.
Юрков, С. Н.
Тандоев, А. Г.
Sei-Hyung Ryu.
Palmour, J. W.


Антипов, В. В.
    Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.

Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- карбид кремния -- буферный слой -- полупроводники -- эпитаксиальный рост
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.

Антипов, В. В. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. - С. 385-388. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.

7.

Антипов, В. В. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. - С. 385-388. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.



Антипов, В. В.
    Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния [Текст] / В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2017. - Т. 59, вып. 2.

Кл.слова (ненормированные):
теллурид кадмия -- карбид кремния -- буферный слой -- полупроводники -- эпитаксиальный рост
Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.
Осипов, А. В.


Кукушкин, С. А.
    Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния [Текст] / С. А. Кукушкина, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 4.

Кл.слова (ненормированные):
фазовое равновесие -- карбид кремния -- топохимическое превращение -- химические реакции -- метод линейной алгебры
Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.

Кукушкин, С. А. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния [Текст] / С. А. Кукушкина, А. В. Осипов. - С. 725-729. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 4.

8.

Кукушкин, С. А. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния [Текст] / С. А. Кукушкина, А. В. Осипов. - С. 725-729. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 4.



Кукушкин, С. А.
    Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния [Текст] / С. А. Кукушкина, А. В. Осипов. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 4.

Кл.слова (ненормированные):
фазовое равновесие -- карбид кремния -- топохимическое превращение -- химические реакции -- метод линейной алгебры
Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.



    Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / С. А. Грудинкин [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 12.

Кл.слова (ненормированные):
инфракрасная спектроскопия -- карбид кремния -- монокристаллический кремний -- эпитаксиальный слой карбида кремния -- подложка кремния -- ИК-спектр карбида кремния
Доп.точки доступа:
Грудинкин, С. А.
Голубев, В. Г.
Осипов, А. В.
Феоктистов, Н. А.
Кукушкин, С. А.

Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / С. А. Грудинкин [и др.]. - С. 2469-2474. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 12.

9.

Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / С. А. Грудинкин [и др.]. - С. 2469-2474. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 12.




    Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния [Текст] / С. А. Грудинкин [и др.]. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 12.

Кл.слова (ненормированные):
инфракрасная спектроскопия -- карбид кремния -- монокристаллический кремний -- эпитаксиальный слой карбида кремния -- подложка кремния -- ИК-спектр карбида кремния
Доп.точки доступа:
Грудинкин, С. А.
Голубев, В. Г.
Осипов, А. В.
Феоктистов, Н. А.
Кукушкин, С. А.


Нагорнов, Ю. С.
    Термодинамика зародышеобразования карбида кремния в процессе карбонизации нанопористого кремния [Текст] / Ю. С. Нагорнов. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 5.

Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- зародышеобразование карбида кремния -- процесс карбонизации -- карбонизация нанопористого кремния -- Монте-Карло метод -- формирование нанокристаллов 3C-SiC -- физическое материаловедение

Нагорнов, Ю. С. Термодинамика зародышеобразования карбида кремния в процессе карбонизации нанопористого кремния [Текст] / Ю. С. Нагорнов. - С. 71-80. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 5.

Page 1, Results: 25

 

All acquisitions for 
Or select a month