Electronic catalog

el cat en


 

База данных: Electronic catalog FEFU

Page 1, Results: 39

Отмеченные записи: 0



    Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe [Текст] / З. Э. Мухтаров [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- активные металлы -- поверхность пленок CdTe -- тонкие пленки полупроводников -- элементный состав поверхности CdTe -- химический состав поверхности CdTe
Доп.точки доступа:
Мухтаров, З. Э.
Исаханов, З. А.
Умирзаков, Б. Е.
Кодиров, Т.
Эргашев, Е. С.

Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe [Текст] / З. Э. Мухтаров [и др.]. - С. 146-149. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.

1.

Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe [Текст] / З. Э. Мухтаров [и др.]. - С. 146-149. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.




    Влияние имплантации ионов активных металлов на элементный и химический составы поверхности CdTe [Текст] / З. Э. Мухтаров [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 12.

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- активные металлы -- поверхность пленок CdTe -- тонкие пленки полупроводников -- элементный состав поверхности CdTe -- химический состав поверхности CdTe
Доп.точки доступа:
Мухтаров, З. Э.
Исаханов, З. А.
Умирзаков, Б. Е.
Кодиров, Т.
Эргашев, Е. С.

621.38(03)
Г 74
621.38(03) Г 74 / Г 74-Книгохранение

Готра, Зенон Юрьевич.
    Технология микроэлектронных устройств : справочник / З. Ю. Готра. - Москва : Радио и связь, 1991. - 528 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 526. - ISBN 5256006991

УДК

Рубрики: микроэлектроника--справочники

   микроэлектронные приборы--производство--справочники


Кл.слова (ненормированные):
монокристаллические материалы -- монокристаллы полупроводников -- полупроводники поликристаллические -- полупроводники монокристаллические -- диффузия в полупроводниках -- эпитаксия -- ионная имплантация -- тонкие пленки -- фотолитография -- литография электронно-лучевая -- литография рентгеновская -- сборка микроэлектронных устройств -- герметизация микроэлектронных устройств -- производство микроэлектронных устройств -- справочники (микроэлектроника)
Экземпляры всего: 18
Абонемент учебной и научной литературы (402) (13), Ч/З о. Русский (3), Книгохранение (2)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (402) (13), Ч/З о. Русский (3), Книгохранение (2)

Готра, Зенон Юрьевич. Технология микроэлектронных устройств [Текст] : справочник / З. Ю. Готра, 1991. - 528 с.

2.

Готра, Зенон Юрьевич. Технология микроэлектронных устройств [Текст] : справочник / З. Ю. Готра, 1991. - 528 с.


621.38(03)
Г 74
621.38(03) Г 74 / Г 74-Книгохранение

Готра, Зенон Юрьевич.
    Технология микроэлектронных устройств : справочник / З. Ю. Готра. - Москва : Радио и связь, 1991. - 528 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 526. - ISBN 5256006991

УДК

Рубрики: микроэлектроника--справочники

   микроэлектронные приборы--производство--справочники


Кл.слова (ненормированные):
монокристаллические материалы -- монокристаллы полупроводников -- полупроводники поликристаллические -- полупроводники монокристаллические -- диффузия в полупроводниках -- эпитаксия -- ионная имплантация -- тонкие пленки -- фотолитография -- литография электронно-лучевая -- литография рентгеновская -- сборка микроэлектронных устройств -- герметизация микроэлектронных устройств -- производство микроэлектронных устройств -- справочники (микроэлектроника)
Экземпляры всего: 18
Абонемент учебной и научной литературы (402) (13), Ч/З о. Русский (3), Книгохранение (2)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (402) (13), Ч/З о. Русский (3), Книгохранение (2)

537 В 121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
    Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. - Москва : Наука, 1981. - 368 c. : ил., табл. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр. : с. 332-368

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- ионная имплантация -- дефектообразование -- активационные процессы -- атомарные полупроводники -- миграция дефектов -- кристаллы -- бинарные полупроводники
Доп.точки доступа:
Кив, Арик Ефимович
Ниязова, Озод Рахимовна

Экземпляры всего: 4
Ч/З о. Русский (1), Абонемент учебной и научной литературы (2), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1), Абонемент учебной и научной литературы (2), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Вавилов, Виктор Сергеевич. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках [Текст] / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова, 1981. - 368 c. с.

3.

Вавилов, Виктор Сергеевич. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках [Текст] / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова, 1981. - 368 c. с.


537 В 121
Вавилов, Виктор Сергеевич.
    Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. - Москва : Наука, 1981. - 368 c. : ил., табл. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр. : с. 332-368

УДК

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- ионная имплантация -- дефектообразование -- активационные процессы -- атомарные полупроводники -- миграция дефектов -- кристаллы -- бинарные полупроводники
Доп.точки доступа:
Кив, Арик Ефимович
Ниязова, Озод Рахимовна

Экземпляры всего: 4
Ч/З о. Русский (1), Абонемент учебной и научной литературы (2), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1), Абонемент учебной и научной литературы (2), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

621.38 А 168
Аброян, Измаил Артурович.
    Физические основы электронной и ионной технологии : учебное пособие / И. А. Аброян, А. Н. Андронов, А. И. Титов. - Москва : Высшая школа, 1984. - 320 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 319

УДК

Кл.слова (ненормированные):
электронная техника -- облучение ионами -- радиационные дефекты -- ионная имплантация -- радиационно-стимулированная диффузия -- ионный синтез -- электронно-лучевая обработка материалов
Доп.точки доступа:
Андронов, Александр Николаевич
Титов, Андрей Иванович

Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), ЕКВ ауд.402 учебная (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), ЕКВ ауд.402 учебная (1)

Аброян, Измаил Артурович. Физические основы электронной и ионной технологии [Текст] : учебное пособие / И. А. Аброян, А. Н. Андронов, А. И. Титов, 1984. - 320 с. с.

4.

Аброян, Измаил Артурович. Физические основы электронной и ионной технологии [Текст] : учебное пособие / И. А. Аброян, А. Н. Андронов, А. И. Титов, 1984. - 320 с. с.


621.38 А 168
Аброян, Измаил Артурович.
    Физические основы электронной и ионной технологии : учебное пособие / И. А. Аброян, А. Н. Андронов, А. И. Титов. - Москва : Высшая школа, 1984. - 320 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 319

УДК

Кл.слова (ненормированные):
электронная техника -- облучение ионами -- радиационные дефекты -- ионная имплантация -- радиационно-стимулированная диффузия -- ионный синтез -- электронно-лучевая обработка материалов
Доп.точки доступа:
Андронов, Александр Николаевич
Титов, Андрей Иванович

Экземпляры всего: 2
Хранение Отдела организации и использования фонда (1), ЕКВ ауд.402 учебная (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1), ЕКВ ауд.402 учебная (1)

537 А 623

    Аморфный кремний и родственные материалы / [Дж. Реймер, М. Петрич, П. Данеш и др.] ; под ред. Х. Фрицше ; пер. с англ. : [С. Д. Барановский и др.]. - Москва : Мир, 1991. - 542 c. : ил. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 5030021256
Парал. тит. л. на англ. яз. Авт. указ. в конце кн.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
амфорные полупроводники -- фотолюминесценция -- водородное стекло -- микропоры -- полупроводники -- ионная имплантация -- аморфный кремний -- свойства амфорного кремния -- акустические фононы
Доп.точки доступа:
Реймер, Джефри
Петрич, Марк.
Данеш, П.
Фрицше, Х. \ред.\
Барановский, С. Д. \пер.\

Экземпляры всего: 1
Ч/З о. Русский (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1)

Аморфный кремний и родственные материалы [Текст] / [Дж. Реймер, М. Петрич, П. Данеш и др.] ; под ред. Х. Фрицше ; пер. с англ. : [С. Д. Барановский и др.]., 1991. - 542 c. с.

5.

Аморфный кремний и родственные материалы [Текст] / [Дж. Реймер, М. Петрич, П. Данеш и др.] ; под ред. Х. Фрицше ; пер. с англ. : [С. Д. Барановский и др.]., 1991. - 542 c. с.


537 А 623

    Аморфный кремний и родственные материалы / [Дж. Реймер, М. Петрич, П. Данеш и др.] ; под ред. Х. Фрицше ; пер. с англ. : [С. Д. Барановский и др.]. - Москва : Мир, 1991. - 542 c. : ил. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 5030021256
Парал. тит. л. на англ. яз. Авт. указ. в конце кн.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
амфорные полупроводники -- фотолюминесценция -- водородное стекло -- микропоры -- полупроводники -- ионная имплантация -- аморфный кремний -- свойства амфорного кремния -- акустические фононы
Доп.точки доступа:
Реймер, Джефри
Петрич, Марк.
Данеш, П.
Фрицше, Х. \ред.\
Барановский, С. Д. \пер.\

Экземпляры всего: 1
Ч/З о. Русский (1)
Свободны: Ч/З о. Русский (1)

539 И 755

    Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. С. Вавилова. - Москва : Мир, 1980. - 332 c. - (Новости физики твердого тела. ; вып. 10.)

УДК

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- ионная бомбардировка -- лазерный отжиг -- физика твердого тела -- полупроводники -- физика
Доп.точки доступа:
Вавилов, В. С. \ред.\

Экземпляры всего: 2
Абонемент учебной и научной литературы (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы [Текст] : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. С. Вавилова., 1980. - 332 c. с.

6.

Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы [Текст] : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. С. Вавилова., 1980. - 332 c. с.


539 И 755

    Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. С. Вавилова. - Москва : Мир, 1980. - 332 c. - (Новости физики твердого тела. ; вып. 10.)

УДК

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- ионная бомбардировка -- лазерный отжиг -- физика твердого тела -- полупроводники -- физика
Доп.точки доступа:
Вавилов, В. С. \ред.\

Экземпляры всего: 2
Абонемент учебной и научной литературы (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (1), Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

537 И 755
"Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах", международная конференция ((7 ; ; 1983 ; ; Вильнюс).).
    Материалы ..., 26-28 сентября 1983 г., Вильнюс / Вильнюсский государственный университет ; [ред. кол. : З. В. Янушкявичюс (отв. ред.) и др.]. - Вильнюс : [б. и.], 1985. - 360 c. : ил. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
металлы -- твердые тела -- фотоэлектронная спектроскопия -- полупроводники -- импульсный отжиг -- физика -- импульсная фотопроводимость -- ионная имплантация
Доп.точки доступа:
Янушкявичюс, З. В. \ред.\
Вильнюсский государственный университет

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Материалы ..., 26-28 сентября 1983 г., Вильнюс [Текст] / Вильнюсский государственный университет ; [ред. кол. : З. В. Янушкявичюс (отв. ред.) и др.]., 1985. - 360 c. с.

7.

Материалы ..., 26-28 сентября 1983 г., Вильнюс [Текст] / Вильнюсский государственный университет ; [ред. кол. : З. В. Янушкявичюс (отв. ред.) и др.]., 1985. - 360 c. с.


537 И 755
"Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах", международная конференция ((7 ; ; 1983 ; ; Вильнюс).).
    Материалы ..., 26-28 сентября 1983 г., Вильнюс / Вильнюсский государственный университет ; [ред. кол. : З. В. Янушкявичюс (отв. ред.) и др.]. - Вильнюс : [б. и.], 1985. - 360 c. : ил. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
металлы -- твердые тела -- фотоэлектронная спектроскопия -- полупроводники -- импульсный отжиг -- физика -- импульсная фотопроводимость -- ионная имплантация
Доп.точки доступа:
Янушкявичюс, З. В. \ред.\
Вильнюсский государственный университет

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

539.2 Н 254

    Нанокристаллические интерметаллидные и нитридные структуры, формирующиеся при ионно-лучевом воздействии / И. А. Курзина, Э. В. Козлов, Ю. П. Шаркеев [и др.] ; отв. ред. Н. Н. Коваль ; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики прочности и материаловедения, Томский государственный архитектурно-строительный университет. - Томск : Изд-во Научно-технической литературы, 2008. - 322 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 9785895033982

УДК

Рубрики: физика твердого тела--нанокристаллические структуры--физико-химические свойства--монографии

   химические соединения--интерметаллические фазы--монографии


Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллические структуры -- интерметаллические фазы -- наноматериалы (физико-химические свойства) -- ионная имплантация -- исследования наноматериалов (методы) -- интерметаллические соединения (физико-химические свойства)
Доп.точки доступа:
Курзина, Ирина Александровна
Козлов, Эдуард Викторович
Шаркеев, Юрий Петрович
Коваль, Н. Н. \ред.\
Российская академия наук. Сибирское отделение; Институт физики прочности и материаловедения
Томский государственный архитектурно-строительный университет

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Нанокристаллические интерметаллидные и нитридные структуры, формирующиеся при ионно-лучевом воздействии [Текст] / И. А. Курзина, Э. В. Козлов, Ю. П. Шаркеев [и др.] ; отв. ред. Н. Н. Коваль ; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики прочности и материаловедения, Томский государственный архитектурно-строительный университет., 2008. - 322 с. с.

8.

Нанокристаллические интерметаллидные и нитридные структуры, формирующиеся при ионно-лучевом воздействии [Текст] / И. А. Курзина, Э. В. Козлов, Ю. П. Шаркеев [и др.] ; отв. ред. Н. Н. Коваль ; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики прочности и материаловедения, Томский государственный архитектурно-строительный университет., 2008. - 322 с. с.


539.2 Н 254

    Нанокристаллические интерметаллидные и нитридные структуры, формирующиеся при ионно-лучевом воздействии / И. А. Курзина, Э. В. Козлов, Ю. П. Шаркеев [и др.] ; отв. ред. Н. Н. Коваль ; Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики прочности и материаловедения, Томский государственный архитектурно-строительный университет. - Томск : Изд-во Научно-технической литературы, 2008. - 322 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце гл.. - ISBN 9785895033982

УДК

Рубрики: физика твердого тела--нанокристаллические структуры--физико-химические свойства--монографии

   химические соединения--интерметаллические фазы--монографии


Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллические структуры -- интерметаллические фазы -- наноматериалы (физико-химические свойства) -- ионная имплантация -- исследования наноматериалов (методы) -- интерметаллические соединения (физико-химические свойства)
Доп.точки доступа:
Курзина, Ирина Александровна
Козлов, Эдуард Викторович
Шаркеев, Юрий Петрович
Коваль, Н. Н. \ред.\
Российская академия наук. Сибирское отделение; Институт физики прочности и материаловедения
Томский государственный архитектурно-строительный университет

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)



    Влияние остаточного давления и ионной имплантации на структуру, элементный состав и свойства нитридов (TiZrAlYNb)N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 8.

Кл.слова (ненормированные):
высокоэнтропийные сплавы -- нитриды -- (TiZrAlYNb)N -- остаточное давление -- ионная имплантация -- структура нитридов -- элементный состав нитридов -- свойства нитридов
Доп.точки доступа:
Погребняк, А. Д.
Якущенко, И. В.
Соболь, О. В.
Береснев, В. М.
Купчишин, А. И.
Бондар, О. В.
Лисовенко, М. А.
Amekura, H.
Kono, K.
Oyoshi, K.
Takeda, Y.

Влияние остаточного давления и ионной имплантации на структуру, элементный состав и свойства нитридов (TiZrAlYNb)N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.]. - С. 72-79. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 8.

9.

Влияние остаточного давления и ионной имплантации на структуру, элементный состав и свойства нитридов (TiZrAlYNb)N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.]. - С. 72-79. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 8.




    Влияние остаточного давления и ионной имплантации на структуру, элементный состав и свойства нитридов (TiZrAlYNb)N [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 8.

Кл.слова (ненормированные):
высокоэнтропийные сплавы -- нитриды -- (TiZrAlYNb)N -- остаточное давление -- ионная имплантация -- структура нитридов -- элементный состав нитридов -- свойства нитридов
Доп.точки доступа:
Погребняк, А. Д.
Якущенко, И. В.
Соболь, О. В.
Береснев, В. М.
Купчишин, А. И.
Бондар, О. В.
Лисовенко, М. А.
Amekura, H.
Kono, K.
Oyoshi, K.
Takeda, Y.


Донаев, С. Б.
    Электронная структура наноразмерных структур Ga₁₋ₓ Alₓ As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации [Текст] / С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 10.

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- наноразмерные структуры -- структура Ga₁₋ₓ Alₓ As -- поверхность нанокристаллических фаз -- гетероэпитаксиальные слои -- поверхность GaAs
Доп.точки доступа:
Умирзаков, Б. Е.
Ташмухамедова, Д. А.

Донаев, С. Б. Электронная структура наноразмерных структур Ga₁₋ₓ Alₓ As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации [Текст] / С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова. - С. 148-151. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 10.

10.

Донаев, С. Б. Электронная структура наноразмерных структур Ga₁₋ₓ Alₓ As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации [Текст] / С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова. - С. 148-151. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 10.



Донаев, С. Б.
    Электронная структура наноразмерных структур Ga₁₋ₓ Alₓ As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации [Текст] / С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 10.

Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- наноразмерные структуры -- структура Ga₁₋ₓ Alₓ As -- поверхность нанокристаллических фаз -- гетероэпитаксиальные слои -- поверхность GaAs
Доп.точки доступа:
Умирзаков, Б. Е.
Ташмухамедова, Д. А.

Page 1, Results: 39

 

All acquisitions for 
Or select a month