Перейти к содержимому
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 5
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Козлов, А. В.
Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане / А. В. Козлов, Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 9 (2004), С. 53-56
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
датчики магнитного поля -- магнитные поля -- биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор с базой, сформированной в кармане (БМТБК) , при внешнем соединении базы с карманом.
Доп.точки доступа:
Тихонов, Р. Д.
Козлов, А. В.
Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане / А. В. Козлов, Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 9 (2004), С. 53-56
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
датчики магнитного поля -- магнитные поля -- биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор с базой, сформированной в кармане (БМТБК) , при внешнем соединении базы с карманом.
Доп.точки доступа:
Тихонов, Р. Д.
2.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Повышение чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 2 (2005), С. 55-60
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- концентрационно-рекомбинационный механизм -- датчики магнитного поля -- слабые магнитные поля -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: Приведены результаты исследования биполярного магнитотранзистора (БМТ) , чувствительность которого определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, и БМТ с базой в кармане (БМТБК) , обладающей порогом срабатывания.
Тихонов, Р. Д.
Повышение чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 2 (2005), С. 55-60
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- концентрационно-рекомбинационный механизм -- датчики магнитного поля -- слабые магнитные поля -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: Приведены результаты исследования биполярного магнитотранзистора (БМТ) , чувствительность которого определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, и БМТ с базой в кармане (БМТБК) , обладающей порогом срабатывания.
3.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 11 (2006), С. 39-44
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- эмиттеры -- биполярные магнитотранзисторы -- приборно-технологическое моделирование -- поверхностная рекомбинация -- двухколлекторные биполярные магнитотранзисторы -- планарные биполярные магнитотранзисторы
Аннотация: Исследования биполярного магнитотранзистора показали, что его чувствительность определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, зависит от магнитной индукции и растет в слабых магнитных полях.
Тихонов, Р. Д.
Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 11 (2006), С. 39-44
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- эмиттеры -- биполярные магнитотранзисторы -- приборно-технологическое моделирование -- поверхностная рекомбинация -- двухколлекторные биполярные магнитотранзисторы -- планарные биполярные магнитотранзисторы
Аннотация: Исследования биполярного магнитотранзистора показали, что его чувствительность определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, зависит от магнитной индукции и растет в слабых магнитных полях.
4.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Интегральный магнитотранзисторный датчик / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 4 (2009), С. 50-54
ББК 30.10
Рубрики: Техника
Метрология
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- начальный разбаланс -- интегральный датчик -- биполярный магниточувствительный транзистр -- магнитотранзисторные датчики
Аннотация: Экспериментально исследован начальный разбаланс напряжения между коллекторами в интервальных схемах, включающих двухколлекторный латеральный биполярный магнитотранзистор npn-типа, сформированный в кармане, и поликремниевые резисторы.
Тихонов, Р. Д.
Интегральный магнитотранзисторный датчик / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 4 (2009), С. 50-54
| УДК |
Рубрики: Техника
Метрология
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- начальный разбаланс -- интегральный датчик -- биполярный магниточувствительный транзистр -- магнитотранзисторные датчики
Аннотация: Экспериментально исследован начальный разбаланс напряжения между коллекторами в интервальных схемах, включающих двухколлекторный латеральный биполярный магнитотранзистор npn-типа, сформированный в кармане, и поликремниевые резисторы.
5.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.; ГУ НПК "Технологический Центр" МИЭТ
Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор: определение чувствительности / Р. Д. Тихонов // Микроэлектроника. - Т. 38, N 4 (2009), С. 260-272. - Библиогр.: с. 272 (16 назв. )
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- биполярные магнитотранзисторы -- двухколлекторные магнитотранзисторы -- магнитные поля -- концентрационно-рекомбинационные механизмы -- чувствительность магнитотранзисторов
Аннотация: Приведен анализ особенностей определения величины и знака чувствительности магнитотранзистора. Экспериментальные исследования и приборно-технологическое моделирование показали, что определяющим является концентрационно-рекомбинационный механизм изменения под воздействием магнитного поля токов в структуре магнитотранзистора. Понимание механизма работы прибора позволяет повышать чувствительность биполярного магнитотранзистора.
Тихонов, Р. Д.; ГУ НПК "Технологический Центр" МИЭТ
Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор: определение чувствительности / Р. Д. Тихонов // Микроэлектроника. - Т. 38, N 4 (2009), С. 260-272. - Библиогр.: с. 272 (16 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- биполярные магнитотранзисторы -- двухколлекторные магнитотранзисторы -- магнитные поля -- концентрационно-рекомбинационные механизмы -- чувствительность магнитотранзисторов
Аннотация: Приведен анализ особенностей определения величины и знака чувствительности магнитотранзистора. Экспериментальные исследования и приборно-технологическое моделирование показали, что определяющим является концентрационно-рекомбинационный механизм изменения под воздействием магнитного поля токов в структуре магнитотранзистора. Понимание механизма работы прибора позволяет повышать чувствительность биполярного магнитотранзистора.
Страница 1, Результатов: 5