Перейти к содержимому 
База данных: ЭБС Лань
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 216 с. . - ISBN 978-5-507-45481-5
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
ББК 32.844я73
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- эпитаксиальные технологии -- эпитаксия -- эпитаксиальный рост -- эпитаксиальные подложки -- зародышеобразование -- гетерогенные системы -- бикристаллография -- кристалл -- метрическое несоответствие -- симметрийное несоответствие -- вакуумные методы -- методы ионного распыления -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.
Александрова, О. А.
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост : учебник для вузов / О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 216 с. . - ISBN 978-5-507-45481-5
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
| УДК |
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- монокристаллы -- полупроводники -- легирование -- технология -- эпитаксиальные технологии -- эпитаксия -- эпитаксиальный рост -- эпитаксиальные подложки -- зародышеобразование -- гетерогенные системы -- бикристаллография -- кристалл -- метрическое несоответствие -- симметрийное несоответствие -- вакуумные методы -- методы ионного распыления -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста. Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации. Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
Доп.точки доступа:
Лебедев, А. О.
Мараева, Е. В.
Страница 1, Результатов: 1