Перейти к содержимому 
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 2
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
О-342
Овсюк, Виктор Николаевич.
Введение в физику структур. Металл-диэлектрик-проводник : [учебное пособие] : курс лекций / В. Н. Овсюк ; Новосибирский государственный университет. ; Новосибирский государственный университет. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского университета, 1977. - 69 с. : ил.
Кл.слова (ненормированные):
металл-диэлектрик-проводник -- вольт-фарадные характеристики -- высокие частоты (физика) -- низкие частоты (физика) -- проводимость полупроводника -- сопротивление полупроводника -- фотоЭДС
Доп.точки доступа:
Новосибирский государственный университет
Экземпляры всего: 1
Абонемент учебной и научной литературы (1)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (1)
О-342
Овсюк, Виктор Николаевич.
Введение в физику структур. Металл-диэлектрик-проводник : [учебное пособие] : курс лекций / В. Н. Овсюк ; Новосибирский государственный университет. ; Новосибирский государственный университет. - Новосибирск : Изд-во Новосибирского университета, 1977. - 69 с. : ил.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
металл-диэлектрик-проводник -- вольт-фарадные характеристики -- высокие частоты (физика) -- низкие частоты (физика) -- проводимость полупроводника -- сопротивление полупроводника -- фотоЭДС
Доп.точки доступа:
Новосибирский государственный университет
Экземпляры всего: 1
Абонемент учебной и научной литературы (1)
Свободны: Абонемент учебной и научной литературы (1)
2.
Подробнее
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In₂ₓGa₂₍₁₋ₓ₎Te₃/InAs и In₂Te₃/InAs [Текст] / Э. П. Домашевская [и др.]. // 7 nnas. Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
метод адмиттанса -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры In₂ₓGa₂₍₁₋ₓ₎Te₃/InAs и In₂Te₃/InAs -- технология квазизамкнутого объема -- технология напыления -- полупроводниковые соединения
Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.
Михайлюк, Е. А.
Прокопова, Т. В.
Безрядин, Н. Н.
Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In₂ₓGa₂₍₁₋ₓ₎Te₃/InAs и In₂Te₃/InAs [Текст] / Э. П. Домашевская [и др.]. // 7 nnas. Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
метод адмиттанса -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры In₂ₓGa₂₍₁₋ₓ₎Te₃/InAs и In₂Te₃/InAs -- технология квазизамкнутого объема -- технология напыления -- полупроводниковые соединения
Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.
Михайлюк, Е. А.
Прокопова, Т. В.
Безрядин, Н. Н.
Страница 1, Результатов: 2