Перейти к содержимому 
База данных: ЭБС Лань
Страница 1, Результатов: 3
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Агеев, И. М.
Физические основы электроники и наноэлектроники : учебное пособие / И. М. Агеев. - Санкт-Петербург : Лань, 2020. - 324 с.. - ISBN 978-5-8114-4081-8
Книга из коллекции Лань - Физика
ББК 32.85
Рубрики: Физика--Прикладная физика--Лань
Кл.слова (ненормированные):
волновое движение -- уравнения максвелла -- уравнение шредингера -- наведенный ток -- вакуум -- газовый разряд -- зонная теория -- контактные явления -- сверхрешетки -- гетеропереходы
Аннотация: Рассмотрены некоторые разделы общей физики и квантовой механики, имеющие отношение к электронике и радиофизике. Изложены краткие сведения и основные представления и закономерности в области волнового движения, уравнений Максвелла, квантовой механики и строения атома, термодинамики и статистических распределений. Рассмотрены физические аспекты движения электронов в вакууме, газе и твердом теле. Описаны физические явления, возникающие при контакте твердых тел, в частности свойства электрических переходов в полупроводниках, включая гетеропереходы и наноструктуры. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГСН «Электроника, радиотехника и системы связи», «Физика и астрономия», а также студентам и аспирантам радиотехнических, радиофизических и радиосвязных специальностей. Может быть полезна широкому кругу специалистов в области радиотехники, электроники и электронной техники.
Агеев, И. М.
Физические основы электроники и наноэлектроники : учебное пособие / И. М. Агеев. - Санкт-Петербург : Лань, 2020. - 324 с.. - ISBN 978-5-8114-4081-8
Книга из коллекции Лань - Физика
| УДК |
Рубрики: Физика--Прикладная физика--Лань
Кл.слова (ненормированные):
волновое движение -- уравнения максвелла -- уравнение шредингера -- наведенный ток -- вакуум -- газовый разряд -- зонная теория -- контактные явления -- сверхрешетки -- гетеропереходы
Аннотация: Рассмотрены некоторые разделы общей физики и квантовой механики, имеющие отношение к электронике и радиофизике. Изложены краткие сведения и основные представления и закономерности в области волнового движения, уравнений Максвелла, квантовой механики и строения атома, термодинамики и статистических распределений. Рассмотрены физические аспекты движения электронов в вакууме, газе и твердом теле. Описаны физические явления, возникающие при контакте твердых тел, в частности свойства электрических переходов в полупроводниках, включая гетеропереходы и наноструктуры. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГСН «Электроника, радиотехника и системы связи», «Физика и астрономия», а также студентам и аспирантам радиотехнических, радиофизических и радиосвязных специальностей. Может быть полезна широкому кругу специалистов в области радиотехники, электроники и электронной техники.
2.
Подробнее
Пасынков, В. В.
Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 9-е изд. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 480 с.. - ISBN 978-5-8114-0368-4
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/167773
ББК 32.852
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
для магистров -- для бакалавров -- элементы интегральных микросхем -- полупроводниковые приборы -- учебные издания -- физические процессы -- аморфные полупроводники -- биполярные транзисторы -- болометр -- варикап -- варисторы -- выпрямитель селеновый -- гальваномагнитные приборы -- гетеропереход -- диод характеристика -- диоды -- диоды полупроводниковые -- допущено мо рф -- интегральные микросхемы -- контактные явления -- лазер -- микроэлектроника -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- оптоэлектронные приборы -- позистор -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые диоды -- приборы с зарядовой связью -- пробой лавинный -- пробой тепловой -- пробой туннельный -- стабилитрон -- стабистор -- терморезисторы -- термоэлектрические устройства -- тиристоры -- транзисторы -- транзисторы биполярные -- транзисторы полевые -- учебные пособия -- физика -- физика полупроводников -- физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла -- фотодиод -- фоторезистор -- холла преобразователь -- шотки диод -- электроника -- электроника и микроэлектроника
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".
Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.
Пасынков, В. В.
Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 9-е изд. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 480 с.. - ISBN 978-5-8114-0368-4
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/167773
| УДК |
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
для магистров -- для бакалавров -- элементы интегральных микросхем -- полупроводниковые приборы -- учебные издания -- физические процессы -- аморфные полупроводники -- биполярные транзисторы -- болометр -- варикап -- варисторы -- выпрямитель селеновый -- гальваномагнитные приборы -- гетеропереход -- диод характеристика -- диоды -- диоды полупроводниковые -- допущено мо рф -- интегральные микросхемы -- контактные явления -- лазер -- микроэлектроника -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- оптоэлектронные приборы -- позистор -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые диоды -- приборы с зарядовой связью -- пробой лавинный -- пробой тепловой -- пробой туннельный -- стабилитрон -- стабистор -- терморезисторы -- термоэлектрические устройства -- тиристоры -- транзисторы -- транзисторы биполярные -- транзисторы полевые -- учебные пособия -- физика -- физика полупроводников -- физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла -- фотодиод -- фоторезистор -- холла преобразователь -- шотки диод -- электроника -- электроника и микроэлектроника
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".
Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.
3.
Подробнее
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
ББК 22.379я73
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Страница 1, Результатов: 3