Перейти к содержимому 
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 3
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Герасименко, Николай Николаевич.
Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для вузов / Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. - Москва : Техносфера, 2007. - 352 с., [3] л. ил. - (Мир материалов и технологий ; VI, 12). - ISBN 5948361012. - ISBN 9785948361017
ББК 32.844.1я73 +
31.233я73
Рубрики: наноэлектроника--учебные издания для вузов
кремний--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
кремний (наноэлектроника) -- кремниевые наноматериалы -- кремниевые структуры -- наноэлектроника -- кремниевая наноэлектроника -- кремниевые оптоэлектронные приборы -- кремниевые нанопленки -- кристаллы с квантовыми точками -- кремниевые гетероструктуры -- гетероструктуры (наноэлектроника) -- полупроводники (наноэлектроника) -- силициды -- ионный синтез (наноэлектроника) -- оптоэлектроника -- кремниевые нанокристаллы -- нанотрубки -- кремниевые нанотрубки -- монокристаллические нановолокна -- нановолокна
Доп.точки доступа:
Пархоменко, Юрий Николаевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Герасименко, Николай Николаевич.
Кремний - материал наноэлектроники : учебное пособие для вузов / Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. - Москва : Техносфера, 2007. - 352 с., [3] л. ил. - (Мир материалов и технологий ; VI, 12). - ISBN 5948361012. - ISBN 9785948361017
| УДК |
Рубрики: наноэлектроника--учебные издания для вузов
кремний--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
кремний (наноэлектроника) -- кремниевые наноматериалы -- кремниевые структуры -- наноэлектроника -- кремниевая наноэлектроника -- кремниевые оптоэлектронные приборы -- кремниевые нанопленки -- кристаллы с квантовыми точками -- кремниевые гетероструктуры -- гетероструктуры (наноэлектроника) -- полупроводники (наноэлектроника) -- силициды -- ионный синтез (наноэлектроника) -- оптоэлектроника -- кремниевые нанокристаллы -- нанотрубки -- кремниевые нанотрубки -- монокристаллические нановолокна -- нановолокна
Доп.точки доступа:
Пархоменко, Юрий Николаевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
2.
Подробнее
Филатов, А. Л.
Комплексное отображение электронных и термических параметров кремниевых структур в одном технологическом цикле на базе фоторефрактивного эффекта / А. Л. Филатов, Е. М. Кораблев; ???? поступила в редакцию 14. 12. 2005 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 52, N 4 (2007), С. 498-501. - Библиогр.: с. 501 (9 назв. )
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- фоторефрактивные эффекты -- метрологические методы -- фотоприемники
Аннотация: Исследован фоторефрактивный метод в качестве основы для бесконтактного комплексного отображения электронных и термических свойств кремниевых структур. Показана возможность локального измерения подвижности и времени жизни носителей заряда, а также коэффициента температуропроводимости в одном технологическом цикле в любом месте объема образца. Разработана новая методика одновременного измерения этих параметров.
Доп.точки доступа:
Кораблев, Е. М.
Филатов, А. Л.
Комплексное отображение электронных и термических параметров кремниевых структур в одном технологическом цикле на базе фоторефрактивного эффекта / А. Л. Филатов, Е. М. Кораблев; ???? поступила в редакцию 14. 12. 2005 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 52, N 4 (2007), С. 498-501. - Библиогр.: с. 501 (9 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- фоторефрактивные эффекты -- метрологические методы -- фотоприемники
Аннотация: Исследован фоторефрактивный метод в качестве основы для бесконтактного комплексного отображения электронных и термических свойств кремниевых структур. Показана возможность локального измерения подвижности и времени жизни носителей заряда, а также коэффициента температуропроводимости в одном технологическом цикле в любом месте объема образца. Разработана новая методика одновременного измерения этих параметров.
Доп.точки доступа:
Кораблев, Е. М.
3.
Подробнее
Филатов, А. Л.
Метод учета влияния нелинейности фоторефрактивного эффекта от мощности излучения накачки на изменение электронных и термических параметров кремниевых структур / А. Л. Филатов, А. В. Луговский // Радиотехника и электроника. - Т. 54, N 5 (2009), С. 611-616. - Библиогр.: с. 616 (9 назв. )
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
фоторефрактивные эффекты -- кремниевые структуры -- полупроводники
Аннотация: Исследован нелинейный по мощности излучения накачки фоторефрактивный эффект. Проанализированы физические явления, которые приводят к возникновению такой нелинейности. Рассмотрены особенности определения транспортных электронных параметров полупроводников в случае нелинейного фоторефрактивного эффекта.
Доп.точки доступа:
Луговский, А. В.
Филатов, А. Л.
Метод учета влияния нелинейности фоторефрактивного эффекта от мощности излучения накачки на изменение электронных и термических параметров кремниевых структур / А. Л. Филатов, А. В. Луговский // Радиотехника и электроника. - Т. 54, N 5 (2009), С. 611-616. - Библиогр.: с. 616 (9 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
фоторефрактивные эффекты -- кремниевые структуры -- полупроводники
Аннотация: Исследован нелинейный по мощности излучения накачки фоторефрактивный эффект. Проанализированы физические явления, которые приводят к возникновению такой нелинейности. Рассмотрены особенности определения транспортных электронных параметров полупроводников в случае нелинейного фоторефрактивного эффекта.
Доп.точки доступа:
Луговский, А. В.
Страница 1, Результатов: 3