Перейти к содержимому
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 2, Результатов: 12
Отмеченные записи: 0
11.
Подробнее
Концентрация азота в пленках оксида цинка, выращенных методом магнетронного распыления в плазме Ar и NO / О. В. Кононенко [и др. ]; ???? Поступила в редакцию 26. 01. 2006 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 31-36. - Библиогр.: с. 36 (13 назв. ). - Ил.
ББК 32.84 + 22.37
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- азот -- оксид цинка -- пленки оксида цинка -- плазма -- магнетронное распыление -- подложки -- подложки сапфира -- радиочастотное магнетронное распыление -- осаждение -- распыляющая плазма -- полупроводники
Аннотация: Пленки оксида цинка были выращены на подложках сапфира (0001) с использованием метода радиочастотного магнетронного распыления в плазме смеси аргона и NO. Рабочее давление во время осаждения было около 10 м торр, отношение Ar/NO варьировалось от 0 до 90. Было обнаружено, что уровень концентрации азота в пленках зависит не только от количества азота в ростовой атмосфере, но и отношения Ar к NO в распыляющей плазме. Наибольшая концентрация азота (4. 3 %) была получена в пленках, осажденных при температуре подложки 300&. ;C и отношении Ar: NO равным 90: 1. В пленках, полученных при этих условиях, было обнаружено наличие связей Zn-N, а связи N-O отсутствовали.
Доп.точки доступа:
Кононенко, О. В.; ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Noh, Y. S.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Kim, T. W.; Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, Korea
Choi, W. K.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Концентрация азота в пленках оксида цинка, выращенных методом магнетронного распыления в плазме Ar и NO / О. В. Кононенко [и др. ]; ???? Поступила в редакцию 26. 01. 2006 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 31-36. - Библиогр.: с. 36 (13 назв. ). - Ил.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника
Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- азот -- оксид цинка -- пленки оксида цинка -- плазма -- магнетронное распыление -- подложки -- подложки сапфира -- радиочастотное магнетронное распыление -- осаждение -- распыляющая плазма -- полупроводники
Аннотация: Пленки оксида цинка были выращены на подложках сапфира (0001) с использованием метода радиочастотного магнетронного распыления в плазме смеси аргона и NO. Рабочее давление во время осаждения было около 10 м торр, отношение Ar/NO варьировалось от 0 до 90. Было обнаружено, что уровень концентрации азота в пленках зависит не только от количества азота в ростовой атмосфере, но и отношения Ar к NO в распыляющей плазме. Наибольшая концентрация азота (4. 3 %) была получена в пленках, осажденных при температуре подложки 300&. ;C и отношении Ar: NO равным 90: 1. В пленках, полученных при этих условиях, было обнаружено наличие связей Zn-N, а связи N-O отсутствовали.
Доп.точки доступа:
Кононенко, О. В.; ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Noh, Y. S.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
Kim, T. W.; Division of Electrical and Computer Engineering, Hanyang University, Korea
Choi, W. K.; Thin Film Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology
12.
Подробнее
Петров, С.
Универсальные системы магнетронного распыления SemiTEq [Текст] / С. Петров. // 7 nnas. Наноиндустрия : научно-технический журнал. - Москва : ЗАО «Риц Техносфера»,. - 2013. - № 6.
Кл.слова (ненормированные):
магнетронное распыление -- магнетронное осаждение тонкопленочных покрытий -- тонкопленочные покрытия -- тонкопленочные покрытия в вакууме -- тонкие пленки -- SemiTEq
Петров, С.
Универсальные системы магнетронного распыления SemiTEq [Текст] / С. Петров. // 7 nnas. Наноиндустрия : научно-технический журнал. - Москва : ЗАО «Риц Техносфера»,. - 2013. - № 6.
Кл.слова (ненормированные):
магнетронное распыление -- магнетронное осаждение тонкопленочных покрытий -- тонкопленочные покрытия -- тонкопленочные покрытия в вакууме -- тонкие пленки -- SemiTEq
Страница 2, Результатов: 12