Электронный каталог

Ушаков, С. Н.
    Двухмикронная лазерная генерация в режиме модулированной добротности на кристалле YAlO[3] : Tm&3+; / С. Н. Ушаков, М. Н. Хромов, А. В. Шестаков // Квантовая электроника. - Т. 39, N 5 (2009), С. 415-416. - Библиогр.: с. 416 (3 назв. )

УДК	535.2/.3+621.375

ББК 22.343 + 32.86

Рубрики: Физика

   Физическая оптика

   Радиоэлектроника

   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
YAlO[3] : Tm&3+; кристаллы -- генерация на кристалле YAlO[3] : Tm&3+; -- двухмикронная генерация -- диодная накачка -- лазерная генерация -- модуляция добротности
Аннотация: Представлены параметры лазера на кристалле YAlO[3] : Tm&3+; с продольной диодной накачкой, работающего в режиме модулированной добротности. Частота повторения импульсов f = 1-15 кГц. Максимальная средняя мощность генерации составляет 5 Вт (при f = 5-15 кГц), минимальная длительность импульса 130 нс (f = 1 кГц), эффективность 26% (дифференциальная эффективность 58 %). Для спектральной области накачки 803-805 нм длина волны генерации была равна 1. 99 мкм.
Доп.точки доступа:
Хромов, М. Н.
Шестаков, А. В.