База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 1
Отмеченные записи: 0
1.

Подробнее
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
УДК |
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
Страница 1, Результатов: 1