Перейти к содержимому 
База данных: ЭБС Лань
Страница 1, Результатов: 2
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Смирнов, Ю. А.
Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 560 с.. - ISBN 978-5-8114-1369-0
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168522
ББК 32.85я73
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы -- биполярные транзисторы -- диод -- диэлектрические пленки -- избирательные усилители -- металлические пленки -- микросхема интегральная -- микроэлектроника -- микроэлектронные структуры -- операционные усилители -- пленка диэлектрическая -- пленка металлическая -- пленочные структуры -- полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые резисторы -- полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры пленочные структуры -- пособия для бакалавров -- пособия для магистров -- приборы полупроводниковые -- процесс кинетический -- резистор -- система тонкопленочная -- структура микроэлектронная -- структуры пленочные -- структуры полупроводниковые -- техника -- тиристор -- тиристоры -- тонкие пленки -- транзистор -- транзисторные каскады -- транзисторные усилители -- униполярные транзисторы -- усилители мощности -- усилители напряжения -- усилители постоянного тока -- усилитель операционный -- усилительные каскады -- учебные пособия -- физика полупроводников -- физические методы электроники -- физические основы электроники -- электроника -- электроника (основы) -- электроника полупроводниковая -- электронно-дырочные переходы -- электрофизика -- эмиссия туннельная -- эффект туннельный
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Доп.точки доступа:
Соколов, С. В.
Титов, Е. В.
Смирнов, Ю. А.
Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 560 с.. - ISBN 978-5-8114-1369-0
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168522
Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань
Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы -- биполярные транзисторы -- диод -- диэлектрические пленки -- избирательные усилители -- металлические пленки -- микросхема интегральная -- микроэлектроника -- микроэлектронные структуры -- операционные усилители -- пленка диэлектрическая -- пленка металлическая -- пленочные структуры -- полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые резисторы -- полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры пленочные структуры -- пособия для бакалавров -- пособия для магистров -- приборы полупроводниковые -- процесс кинетический -- резистор -- система тонкопленочная -- структура микроэлектронная -- структуры пленочные -- структуры полупроводниковые -- техника -- тиристор -- тиристоры -- тонкие пленки -- транзистор -- транзисторные каскады -- транзисторные усилители -- униполярные транзисторы -- усилители мощности -- усилители напряжения -- усилители постоянного тока -- усилитель операционный -- усилительные каскады -- учебные пособия -- физика полупроводников -- физические методы электроники -- физические основы электроники -- электроника -- электроника (основы) -- электроника полупроводниковая -- электронно-дырочные переходы -- электрофизика -- эмиссия туннельная -- эффект туннельный
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Доп.точки доступа:
Соколов, С. В.
Титов, Е. В.
2.
Подробнее
Мокроусов, Г. М.
Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Бекезина. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 112 с.. - ISBN 978-5-8114-1872-5
Книга из коллекции Лань - Химия
. - https://e.lanbook.com/book/168831
ББК 24.5я73
Рубрики: Химия--Физическая химия и химия твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
анизотропное травление полупроводников -- границы раздела фаз -- жидкие среды -- кристаллические материалы -- межфазные границы -- межфазные превращения -- методы формирования поверхности -- многокомпонентные полупроводники -- наноструктурирование поверхности -- поверхность твердых тел -- полупроводниковые структуры -- составы травителей -- учебные пособия -- физическая химия -- формирование поверхности -- химические методы -- эбс лань -- электронные учебники -- электрохимические методы
Аннотация: В пособии на примере полупроводников типа AIIIBV и AIIBVI рассмотрены типичные межфазные превращения (потенциалопределяющие реакции), протекающие в системах многокомпонентное соединение — вода (рН). При этом поверхность представлена в виде структуры, состоящей из поверхностного фазового слоя и приповерхностного кристаллического слоя, находящегося между поверхностным фазовым слоем (или при отсутствии такового — раствором) и объемом твердого тела. Данное пособие поможет моделировать границы раздела фаз сложных неорганических веществ и материалов, целенаправленно прогнозировать и создавать их межфазные границы с необходимым составом и строением путем различных (электро) химических операций, устранять или вводить дефекты в приповерхностные области кристаллических веществ, управлять свойствами структур типа П-М, П-Д и осуществлять наноструктурирование поверхности кристаллических материалов. Пособие предназначено на студентов, обучающихся по направлениям «Химия», «Химия, физика и механика материалов», «Фундаментальная и прикладная химия», аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов, а также специалистов, работающих в области физикохимии полупроводников, формирования и модификации поверхности твердых тел для создания функциональных материалов и полупроводниковых структур, а также в области материаловедения и технологии структур. Оно будет полезно специалистам, разрабатывающим и производящим различного рода (нано, микро, макро) структуры на основе полупроводников и металлов с использованием водных и неводных сред, а также при решении вопросов их стабильности, включая коррозионную стойкость.
Доп.точки доступа:
Зарубина, О. Н.
Бекезина, Т. П.
Мокроусов, Г. М.
Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Бекезина. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 112 с.. - ISBN 978-5-8114-1872-5
Книга из коллекции Лань - Химия
. - https://e.lanbook.com/book/168831
| УДК |
Рубрики: Химия--Физическая химия и химия твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
анизотропное травление полупроводников -- границы раздела фаз -- жидкие среды -- кристаллические материалы -- межфазные границы -- межфазные превращения -- методы формирования поверхности -- многокомпонентные полупроводники -- наноструктурирование поверхности -- поверхность твердых тел -- полупроводниковые структуры -- составы травителей -- учебные пособия -- физическая химия -- формирование поверхности -- химические методы -- эбс лань -- электронные учебники -- электрохимические методы
Аннотация: В пособии на примере полупроводников типа AIIIBV и AIIBVI рассмотрены типичные межфазные превращения (потенциалопределяющие реакции), протекающие в системах многокомпонентное соединение — вода (рН). При этом поверхность представлена в виде структуры, состоящей из поверхностного фазового слоя и приповерхностного кристаллического слоя, находящегося между поверхностным фазовым слоем (или при отсутствии такового — раствором) и объемом твердого тела. Данное пособие поможет моделировать границы раздела фаз сложных неорганических веществ и материалов, целенаправленно прогнозировать и создавать их межфазные границы с необходимым составом и строением путем различных (электро) химических операций, устранять или вводить дефекты в приповерхностные области кристаллических веществ, управлять свойствами структур типа П-М, П-Д и осуществлять наноструктурирование поверхности кристаллических материалов. Пособие предназначено на студентов, обучающихся по направлениям «Химия», «Химия, физика и механика материалов», «Фундаментальная и прикладная химия», аспирантов, преподавателей химических вузов и факультетов, а также специалистов, работающих в области физикохимии полупроводников, формирования и модификации поверхности твердых тел для создания функциональных материалов и полупроводниковых структур, а также в области материаловедения и технологии структур. Оно будет полезно специалистам, разрабатывающим и производящим различного рода (нано, микро, макро) структуры на основе полупроводников и металлов с использованием водных и неводных сред, а также при решении вопросов их стабильности, включая коррозионную стойкость.
Доп.точки доступа:
Зарубина, О. Н.
Бекезина, Т. П.
Страница 1, Результатов: 2