Перейти к содержимому 
База данных: ЭБС Лань
Страница 1, Результатов: 2
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
ББК 22.379я73
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Шалимова, К. В.
Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань
Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
2.
Подробнее
Гурин, Н. Т.
Физика и техника пленочных электролюминесцентных излучателей переменного тока : монография / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов. - 3-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 432 с.. - ISBN 978-5-507-45507-2
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/97687
ББК 32.851.13я73
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм--Лань
Кл.слова (ненормированные):
туннелирования электронов -- ударная ионизация глубоких центров -- ударное возбуждение центров свечения -- рекомбинационные процессы -- релаксационные процессы -- электролюминесценция
Аннотация: В книге рассмотрены основные свойства, а также физические основы работы пленочных электролюминисцентных излучателей переменного тока, использующих предпробойную электролюминисценцию с внутрицентровым механизмом свечения. Представлены модифицированные конструкции излучателей. Определены требования к параметрам слоев излучателей и оптимальные режимы возбуждения, зависимости основных характеристических параметров центров свечения от режимов возбуждения. Рассмотрены кинета электролюминисценции в условиях образования и изменения объемных зарядов в слое люминофора, а также природа и параметры глубоких центров, ответственных за образование объемных зарядов. Определены параметры и характеристики процессов тунелирования электронов, ударной ионизации глубоких центров, ударного возбуждения центров свечения, рекомбинационных и релаксационных процессов, а также распределения плотности заполненных поверхностных состояний по энергии. основная часть материалов, приведенных в монографии, является результатом оригинальных исследований авторов. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и исследованием оптоэлектронных приборов, а также для преподавателей, аспирантов и студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГС: "Физика и астрономия", "Электроника, радиотехника и системы связи", "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии", и другим инженерно-техническим направлениям.
Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.
Гурин, Н. Т.
Физика и техника пленочных электролюминесцентных излучателей переменного тока : монография / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов. - 3-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2023. - 432 с.. - ISBN 978-5-507-45507-2
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/97687
| УДК |
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм--Лань
Кл.слова (ненормированные):
туннелирования электронов -- ударная ионизация глубоких центров -- ударное возбуждение центров свечения -- рекомбинационные процессы -- релаксационные процессы -- электролюминесценция
Аннотация: В книге рассмотрены основные свойства, а также физические основы работы пленочных электролюминисцентных излучателей переменного тока, использующих предпробойную электролюминисценцию с внутрицентровым механизмом свечения. Представлены модифицированные конструкции излучателей. Определены требования к параметрам слоев излучателей и оптимальные режимы возбуждения, зависимости основных характеристических параметров центров свечения от режимов возбуждения. Рассмотрены кинета электролюминисценции в условиях образования и изменения объемных зарядов в слое люминофора, а также природа и параметры глубоких центров, ответственных за образование объемных зарядов. Определены параметры и характеристики процессов тунелирования электронов, ударной ионизации глубоких центров, ударного возбуждения центров свечения, рекомбинационных и релаксационных процессов, а также распределения плотности заполненных поверхностных состояний по энергии. основная часть материалов, приведенных в монографии, является результатом оригинальных исследований авторов. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и исследованием оптоэлектронных приборов, а также для преподавателей, аспирантов и студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГС: "Физика и астрономия", "Электроника, радиотехника и системы связи", "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии", и другим инженерно-техническим направлениям.
Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.
Страница 1, Результатов: 2