Электронный каталог


 

База данных: ЭБС Лань

Страница 1, Результатов: 4

Отмеченные записи: 0

621.382.049.77(07
Пасынков, В. В.
    Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 9-е изд. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 480 с.. - ISBN 978-5-8114-0368-4
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/167773

УДК
ББК 32.852

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
для магистров -- для бакалавров -- элементы интегральных микросхем -- полупроводниковые приборы -- учебные издания -- физические процессы -- аморфные полупроводники -- биполярные транзисторы -- болометр -- варикап -- варисторы -- выпрямитель селеновый -- гальваномагнитные приборы -- гетеропереход -- диод характеристика -- диоды -- диоды полупроводниковые -- допущено мо рф -- интегральные микросхемы -- контактные явления -- лазер -- микроэлектроника -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- оптоэлектронные приборы -- позистор -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые диоды -- приборы с зарядовой связью -- пробой лавинный -- пробой тепловой -- пробой туннельный -- стабилитрон -- стабистор -- терморезисторы -- термоэлектрические устройства -- тиристоры -- транзисторы -- транзисторы биполярные -- транзисторы полевые -- учебные пособия -- физика -- физика полупроводников -- физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла -- фотодиод -- фоторезистор -- холла преобразователь -- шотки диод -- электроника -- электроника и микроэлектроника
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".

Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.

Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы [Электронный ресурс] , 2022. - 480 с.

1.

Пасынков, В. В. Полупроводниковые приборы [Электронный ресурс] , 2022. - 480 с.

Открыть исходную запись


621.382.049.77(07
Пасынков, В. В.
    Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. - 9-е изд. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 480 с.. - ISBN 978-5-8114-0368-4
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/167773

УДК
ББК 32.852

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
для магистров -- для бакалавров -- элементы интегральных микросхем -- полупроводниковые приборы -- учебные издания -- физические процессы -- аморфные полупроводники -- биполярные транзисторы -- болометр -- варикап -- варисторы -- выпрямитель селеновый -- гальваномагнитные приборы -- гетеропереход -- диод характеристика -- диоды -- диоды полупроводниковые -- допущено мо рф -- интегральные микросхемы -- контактные явления -- лазер -- микроэлектроника -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- оптоэлектронные приборы -- позистор -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые диоды -- приборы с зарядовой связью -- пробой лавинный -- пробой тепловой -- пробой туннельный -- стабилитрон -- стабистор -- терморезисторы -- термоэлектрические устройства -- тиристоры -- транзисторы -- транзисторы биполярные -- транзисторы полевые -- учебные пособия -- физика -- физика полупроводников -- физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла -- фотодиод -- фоторезистор -- холла преобразователь -- шотки диод -- электроника -- электроника и микроэлектроника
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".

Доп.точки доступа:
Чиркин, Л. К.

621.315.592(075)
Шалимова, К. В.
    Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840

УДК
ББК 22.379я73

Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань

Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

Шалимова, К. В. Физика полупроводников [Электронный ресурс] , 2022. - 384 с.

2.

Шалимова, К. В. Физика полупроводников [Электронный ресурс] , 2022. - 384 с.

Открыть исходную запись


621.315.592(075)
Шалимова, К. В.
    Физика полупроводников / К. В. Шалимова. - 4-е изд., стер. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 384 с.. - ISBN 978-5-8114-0922-8
Книга из коллекции Лань - Физика
. - https://e.lanbook.com/book/167840

УДК
ББК 22.379я73

Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Лань

Кл.слова (ненормированные):
высшее образование -- полупроводники -- физика полупроводников -- учебники -- учебные издания -- атом -- бриллюэн -- бриллюэна зоны -- ганна -- ганна эффект -- генерация -- гетеропереход -- дембера эффект -- диод -- диод туннельный -- диффузия -- диффузия (исследования) -- дрейф -- дырка -- заряд -- зонная -- зонная теория полупроводников -- излучение -- ионизация -- ионизация ударная -- квазиимпульс -- колебание -- колебания атомов кристаллической решетки -- контакт -- кристаллическая -- люминесценция -- люминесценция полупроводников -- носитель -- отражение -- поглощение -- полупроводник некристаллический -- полупроводниковая электроника -- примесные -- примесный -- рассеяние электронов -- резонанс -- резонанс циклотронный -- рекомбинация -- рекомбинация электронов -- релаксация -- решетка -- решетки кристаллические (физика) -- спектр -- теория -- теория колебаний -- теория электропроводности -- теплоемкость кристаллической решетки -- ток -- туннельный -- ударная -- ударная ионизация -- уровень -- учебник и пособие -- физика полупроводников (основы) -- фонон -- фотопроводимость -- фотоэлектроника -- фотоэффект -- холла -- холла эффект -- циклотронный -- шоттки -- шредингера -- шредингера уравнение -- экситонный -- электрон -- электроны -- электропроводность -- электропроводность (измерения) -- электропроводность полупроводников -- эффект -- эффект магниторезистивный -- эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

32.85я73
Смирнов, Ю. А.
    Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 560 с.. - ISBN 978-5-8114-1369-0
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168522

ББК 32.85я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы -- биполярные транзисторы -- диод -- диэлектрические пленки -- избирательные усилители -- металлические пленки -- микросхема интегральная -- микроэлектроника -- микроэлектронные структуры -- операционные усилители -- пленка диэлектрическая -- пленка металлическая -- пленочные структуры -- полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые резисторы -- полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры пленочные структуры -- пособия для бакалавров -- пособия для магистров -- приборы полупроводниковые -- процесс кинетический -- резистор -- система тонкопленочная -- структура микроэлектронная -- структуры пленочные -- структуры полупроводниковые -- техника -- тиристор -- тиристоры -- тонкие пленки -- транзистор -- транзисторные каскады -- транзисторные усилители -- униполярные транзисторы -- усилители мощности -- усилители напряжения -- усилители постоянного тока -- усилитель операционный -- усилительные каскады -- учебные пособия -- физика полупроводников -- физические методы электроники -- физические основы электроники -- электроника -- электроника (основы) -- электроника полупроводниковая -- электронно-дырочные переходы -- электрофизика -- эмиссия туннельная -- эффект туннельный
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Соколов, С. В.
Титов, Е. В.

Смирнов, Ю. А. Физические основы электроники [Электронный ресурс] , 2022. - 560 с.

3.

Смирнов, Ю. А. Физические основы электроники [Электронный ресурс] , 2022. - 560 с.

Открыть исходную запись


32.85я73
Смирнов, Ю. А.
    Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов. - 2-е изд., испр. - Санкт-Петербург : Лань, 2022. - 560 с.. - ISBN 978-5-8114-1369-0
Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
. - https://e.lanbook.com/book/168522

ББК 32.85я73

Рубрики: Инженерно-технические науки--Электроника--Лань

Кл.слова (ненормированные):
p-n-переходы -- биполярные транзисторы -- диод -- диэлектрические пленки -- избирательные усилители -- металлические пленки -- микросхема интегральная -- микроэлектроника -- микроэлектронные структуры -- операционные усилители -- пленка диэлектрическая -- пленка металлическая -- пленочные структуры -- полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые резисторы -- полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры пленочные структуры -- пособия для бакалавров -- пособия для магистров -- приборы полупроводниковые -- процесс кинетический -- резистор -- система тонкопленочная -- структура микроэлектронная -- структуры пленочные -- структуры полупроводниковые -- техника -- тиристор -- тиристоры -- тонкие пленки -- транзистор -- транзисторные каскады -- транзисторные усилители -- униполярные транзисторы -- усилители мощности -- усилители напряжения -- усилители постоянного тока -- усилитель операционный -- усилительные каскады -- учебные пособия -- физика полупроводников -- физические методы электроники -- физические основы электроники -- электроника -- электроника (основы) -- электроника полупроводниковая -- электронно-дырочные переходы -- электрофизика -- эмиссия туннельная -- эффект туннельный
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».

Доп.точки доступа:
Соколов, С. В.
Титов, Е. В.

621.373.8
Шаховой, Р. А.
    Динамика полупроводниковых лазеров : учебное пособие для вузов / Р. А. Шаховой. - Санкт-Петербург : Лань, 2024. - 404 с.. - ISBN 978-5-507-48267-2
Книга из коллекции Лань - Физика. Допущено Ученым советом ордена Трудового Красного Знамени Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» в качестве учебного пособия для обучающихся по основным образовательным программам высшего образования по направлению подготовки бакалавриата «Радиофизика» и «Лазерная техника и лазерные технологии», магистратуры «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» и аспирантов по специальности «Системы, сети и устройства телекоммуникации»

УДК
ББК 32.86-53я73

Рубрики: Физика--Оптика--Лань

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- одномодовые полупроводниковые лазеры -- скоростные уравнения -- физика полупроводников
Аннотация: Основная цель, которую ставил автор при написании книги, состояла в том, чтобы подробно (и по возможности единообразно) описать различные динамические свойства одномодовых полупроводниковых лазеров, т. е. собрать наиболее важную для «пользователя» информацию в одном месте. В сущности, главное намерение автора заключалось в том, чтобы вывести наиболее часто встречающиеся в литературе формулы, необходимые для описания динамики полупроводниковых лазеров, показать область их применения и продемонстрировать всю мощь и красоту метода скоростных уравнений. Предполагается, что читатель прослушал стандартный университетский курс математического анализа, а также курс дифференциальных уравнений, которые являются необходимым минимумом для чтения данной книги. Книга предназначена для физиков, студентов вузов технических специальностей, аспирантов и инженеров в области телекоммуникаций (в особенности в области полупроводниковых лазеров).

Шаховой, Р. А. Динамика полупроводниковых лазеров [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2024. - 404 с.

4.

Шаховой, Р. А. Динамика полупроводниковых лазеров [Электронный ресурс] : учебное пособие для вузов, 2024. - 404 с.

Открыть исходную запись


621.373.8
Шаховой, Р. А.
    Динамика полупроводниковых лазеров : учебное пособие для вузов / Р. А. Шаховой. - Санкт-Петербург : Лань, 2024. - 404 с.. - ISBN 978-5-507-48267-2
Книга из коллекции Лань - Физика. Допущено Ученым советом ордена Трудового Красного Знамени Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» в качестве учебного пособия для обучающихся по основным образовательным программам высшего образования по направлению подготовки бакалавриата «Радиофизика» и «Лазерная техника и лазерные технологии», магистратуры «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» и аспирантов по специальности «Системы, сети и устройства телекоммуникации»

УДК
ББК 32.86-53я73

Рубрики: Физика--Оптика--Лань

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- одномодовые полупроводниковые лазеры -- скоростные уравнения -- физика полупроводников
Аннотация: Основная цель, которую ставил автор при написании книги, состояла в том, чтобы подробно (и по возможности единообразно) описать различные динамические свойства одномодовых полупроводниковых лазеров, т. е. собрать наиболее важную для «пользователя» информацию в одном месте. В сущности, главное намерение автора заключалось в том, чтобы вывести наиболее часто встречающиеся в литературе формулы, необходимые для описания динамики полупроводниковых лазеров, показать область их применения и продемонстрировать всю мощь и красоту метода скоростных уравнений. Предполагается, что читатель прослушал стандартный университетский курс математического анализа, а также курс дифференциальных уравнений, которые являются необходимым минимумом для чтения данной книги. Книга предназначена для физиков, студентов вузов технических специальностей, аспирантов и инженеров в области телекоммуникаций (в особенности в области полупроводниковых лазеров).

Страница 1, Результатов: 4

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц