База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 4
Отмеченные записи: 0
1.

Подробнее
Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. )
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
электронные процессы -- фотомишени -- диэлектрики -- полупроводники
Аннотация: Проанализированы электронные процессы при формировании видеосигналов в видиконах с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник с учетом релаксации неравновесной обедненной области при накоплении фотоносителей. Приведены оценки пороговой чувствительности, обнаружительной способности, динамического диапазона и разрешающей способности видиконов при различных уровнях входного излучения.
Доп.точки доступа:
Ковтонюк, Н. Ф.
Соколов, А. В.
Мисник, В. П.
Туманов, В. Л.
Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. )
УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
электронные процессы -- фотомишени -- диэлектрики -- полупроводники
Аннотация: Проанализированы электронные процессы при формировании видеосигналов в видиконах с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник с учетом релаксации неравновесной обедненной области при накоплении фотоносителей. Приведены оценки пороговой чувствительности, обнаружительной способности, динамического диапазона и разрешающей способности видиконов при различных уровнях входного излучения.
Доп.точки доступа:
Ковтонюк, Н. Ф.
Соколов, А. В.
Мисник, В. П.
Туманов, В. Л.
2.

Подробнее
621.383 П 533
Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) : сборник статей : пер. с ин. яз. - Москва : Мир, 1965. - 576 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники полупроводниковые -- фотоэлементы -- фотодиоды -- фототриоды -- преобразователи излучения -- фоточувствительность -- электропроводность в полупроводниках
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) : сборник статей : пер. с ин. яз. - Москва : Мир, 1965. - 576 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
УДК |
Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники полупроводниковые -- фотоэлементы -- фотодиоды -- фототриоды -- преобразователи излучения -- фоточувствительность -- электропроводность в полупроводниках
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
3.

Подробнее
Ларионов, Ю. В.
Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579. - Библиогр.: с. 579 (12 назв. ). - Ил.: 5 рис., 1 табл.
ББК 32.86 + 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
фосфоросиликатные стекла -- дефекты стекла -- фоточувствительность -- наведенные показатели преломления -- эксимерные лазеры
Аннотация: Проведены измерения наведенного поглощения в спектральных диапазонах 140-850 и 1000-1700 нм в ненасыщенном водородом фосфоросиликатном стекле до и после его экспонирования на длине волны 193 нм.
Доп.точки доступа:
Соколов, В. О.
Плотниченко, В. Г.
Ларионов, Ю. В.
Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579. - Библиогр.: с. 579 (12 назв. ). - Ил.: 5 рис., 1 табл.
УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
фосфоросиликатные стекла -- дефекты стекла -- фоточувствительность -- наведенные показатели преломления -- эксимерные лазеры
Аннотация: Проведены измерения наведенного поглощения в спектральных диапазонах 140-850 и 1000-1700 нм в ненасыщенном водородом фосфоросиликатном стекле до и после его экспонирования на длине волны 193 нм.
Доп.точки доступа:
Соколов, В. О.
Плотниченко, В. Г.
4.

Подробнее
Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60. - Библиогр.: с. 60 (6 назв. )
ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные пленки -- селениды свинца -- гидрохимическое осаждение
Аннотация: Описаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок селенида свинца в наноструктурированном состоянии. По результатам кинетических исследований определен вклад каждого компонента реакционной смеси в скорость процесса. Сделан вывод, что коллоидно-химический синтез обеспечивает получение наноструктурированных слоев селенида свинца, фоточувствительность которых находится на уровне лучших зарубежных аналогов.
Доп.точки доступа:
Мухамедзянов, Х. Н.; УГТУ-УПИ
Миронов, М. П.
Ягодин, С. И.
Маскаева, Л. Н.
Марков, В. Ф.
Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60. - Библиогр.: с. 60 (6 назв. )
УДК |
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные пленки -- селениды свинца -- гидрохимическое осаждение
Аннотация: Описаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок селенида свинца в наноструктурированном состоянии. По результатам кинетических исследований определен вклад каждого компонента реакционной смеси в скорость процесса. Сделан вывод, что коллоидно-химический синтез обеспечивает получение наноструктурированных слоев селенида свинца, фоточувствительность которых находится на уровне лучших зарубежных аналогов.
Доп.точки доступа:
Мухамедзянов, Х. Н.; УГТУ-УПИ
Миронов, М. П.
Ягодин, С. И.
Маскаева, Л. Н.
Марков, В. Ф.
Страница 1, Результатов: 4