Электронный каталог


 

База данных: Электронный каталог ДВФУ

Страница 1, Результатов: 4

Отмеченные записи: 0



    Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. )

УДК
ББК 32

Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники

Кл.слова (ненормированные):
электронные процессы -- фотомишени -- диэлектрики -- полупроводники
Аннотация: Проанализированы электронные процессы при формировании видеосигналов в видиконах с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник с учетом релаксации неравновесной обедненной области при накоплении фотоносителей. Приведены оценки пороговой чувствительности, обнаружительной способности, динамического диапазона и разрешающей способности видиконов при различных уровнях входного излучения.
Доп.точки доступа:
Ковтонюк, Н. Ф.
Соколов, А. В.
Мисник, В. П.
Туманов, В. Л.

Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник [Текст] / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522

1.

Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник [Текст] / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522




    Фоточувствительность видиконов с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник / Н. Ф. Ковтонюк [и др. ]; ???? поступила в редакцию 25. 06. 2003 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 50, N 12 (2005), С. 1518-1522. - Библиогр.: с. 1522 (5 назв. )

УДК
ББК 32

Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники

Кл.слова (ненормированные):
электронные процессы -- фотомишени -- диэлектрики -- полупроводники
Аннотация: Проанализированы электронные процессы при формировании видеосигналов в видиконах с фотомишенями на структурах диэлектрик-полупроводник с учетом релаксации неравновесной обедненной области при накоплении фотоносителей. Приведены оценки пороговой чувствительности, обнаружительной способности, динамического диапазона и разрешающей способности видиконов при различных уровнях входного излучения.
Доп.точки доступа:
Ковтонюк, Н. Ф.
Соколов, А. В.
Мисник, В. П.
Туманов, В. Л.

621.383 П 533

    Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) : сборник статей : пер. с ин. яз. - Москва : Мир, 1965. - 576 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники полупроводниковые -- фотоэлементы -- фотодиоды -- фототриоды -- преобразователи излучения -- фоточувствительность -- электропроводность в полупроводниках
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)

Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) [Текст] : сборник статей : пер. с ин. яз., 1965. - 576 с. с.

2.

Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) [Текст] : сборник статей : пер. с ин. яз., 1965. - 576 с. с.


621.383 П 533

    Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) : сборник статей : пер. с ин. яз. - Москва : Мир, 1965. - 576 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.

УДК

Кл.слова (ненормированные):
фотоприемники полупроводниковые -- фотоэлементы -- фотодиоды -- фототриоды -- преобразователи излучения -- фоточувствительность -- электропроводность в полупроводниках
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)


Ларионов, Ю. В.
    Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579. - Библиогр.: с. 579 (12 назв. ). - Ил.: 5 рис., 1 табл.

УДК
ББК 32.86 + 22.34

Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника

   Физика--Оптика


Кл.слова (ненормированные):
фосфоросиликатные стекла -- дефекты стекла -- фоточувствительность -- наведенные показатели преломления -- эксимерные лазеры
Аннотация: Проведены измерения наведенного поглощения в спектральных диапазонах 140-850 и 1000-1700 нм в ненасыщенном водородом фосфоросиликатном стекле до и после его экспонирования на длине волны 193 нм.
Доп.точки доступа:
Соколов, В. О.
Плотниченко, В. Г.

Ларионов, Ю. В. Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм [Текст] / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579

3.

Ларионов, Ю. В. Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм [Текст] / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579



Ларионов, Ю. В.
    Дефекты фосфоросиликатного стекла, экспонированного излучением на длине волны 193 нм / Ю. В. Ларионов, В. О. Соколов, В. Г. Плотниченко // Квантовая электроника. - Т. 37, N 6 (2007), С. 575-579. - Библиогр.: с. 579 (12 назв. ). - Ил.: 5 рис., 1 табл.

УДК
ББК 32.86 + 22.34

Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника

   Физика--Оптика


Кл.слова (ненормированные):
фосфоросиликатные стекла -- дефекты стекла -- фоточувствительность -- наведенные показатели преломления -- эксимерные лазеры
Аннотация: Проведены измерения наведенного поглощения в спектральных диапазонах 140-850 и 1000-1700 нм в ненасыщенном водородом фосфоросиликатном стекле до и после его экспонирования на длине волны 193 нм.
Доп.точки доступа:
Соколов, В. О.
Плотниченко, В. Г.



    Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60. - Библиогр.: с. 60 (6 назв. )

УДК
ББК 22.37

Рубрики: Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом


Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные пленки -- селениды свинца -- гидрохимическое осаждение
Аннотация: Описаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок селенида свинца в наноструктурированном состоянии. По результатам кинетических исследований определен вклад каждого компонента реакционной смеси в скорость процесса. Сделан вывод, что коллоидно-химический синтез обеспечивает получение наноструктурированных слоев селенида свинца, фоточувствительность которых находится на уровне лучших зарубежных аналогов.
Доп.точки доступа:
Мухамедзянов, Х. Н.; УГТУ-УПИ
Миронов, М. П.
Ягодин, С. И.
Маскаева, Л. Н.
Марков, В. Ф.

Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца [Текст] / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60

4.

Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца [Текст] / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60




    Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х. Н. Мухамедзянов [и др. ] // Цветные металлы. - N 12 (2009), С. 57-60. - Библиогр.: с. 60 (6 назв. )

УДК
ББК 22.37

Рубрики: Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом


Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные пленки -- селениды свинца -- гидрохимическое осаждение
Аннотация: Описаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок селенида свинца в наноструктурированном состоянии. По результатам кинетических исследований определен вклад каждого компонента реакционной смеси в скорость процесса. Сделан вывод, что коллоидно-химический синтез обеспечивает получение наноструктурированных слоев селенида свинца, фоточувствительность которых находится на уровне лучших зарубежных аналогов.
Доп.точки доступа:
Мухамедзянов, Х. Н.; УГТУ-УПИ
Миронов, М. П.
Ягодин, С. И.
Маскаева, Л. Н.
Марков, В. Ф.

Страница 1, Результатов: 4

 

Все поступления за 
Или выберите интересующий месяц