Перейти к содержимому
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 3
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
| УДК |
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
2.
Подробнее
Широкополосный источник излучения в области 2 мкм на основе волоконного световода, легированного ионами Ho&3+; / А. С. Курков [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 38, N 10 (2008), С. 981-982. - Библиогр.: с. 980 (23 назв. )
ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
волоконные световоды -- световоды -- широкополосное излучение -- широкополосные источники излучения
Аннотация: Создан широкополосный источник излучения в области 2 мкм на основе легированного ионами гольмия волоконного световода, для накачки которого использовался иттербиевый волоконный лазер с длиной волны излучения 1. 12 мкм. Достигнутая максимальная мощность источника составила 8 мВт при ширине спектра излучения 45 нм.
Доп.точки доступа:
Курков, А. С.
Шолохов, Е. М.
Парамонов, В. М.
Косолапов, А. Ф.
Широкополосный источник излучения в области 2 мкм на основе волоконного световода, легированного ионами Ho&3+; / А. С. Курков [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 38, N 10 (2008), С. 981-982. - Библиогр.: с. 980 (23 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
волоконные световоды -- световоды -- широкополосное излучение -- широкополосные источники излучения
Аннотация: Создан широкополосный источник излучения в области 2 мкм на основе легированного ионами гольмия волоконного световода, для накачки которого использовался иттербиевый волоконный лазер с длиной волны излучения 1. 12 мкм. Достигнутая максимальная мощность источника составила 8 мВт при ширине спектра излучения 45 нм.
Доп.точки доступа:
Курков, А. С.
Шолохов, Е. М.
Парамонов, В. М.
Косолапов, А. Ф.
3.
Подробнее
Скворцов, Л. А.
Исследование фотоиндуцированного поглощения методом модифицированной лазерной фототермической радиометрии / Л. А. Скворцов, Е. М. Максимов, А. А. Тучков // Квантовая электроника. - Т. 38, N 10 (2008), С. 983-988. - Библиогр.: с. 988 (25 назв. )
ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
волоконные световоды -- световоды -- широкополосное излучение -- широкополосные источники излучения
Аннотация: Рассмотрена возможность применения модифицированного метода лазерной фототермической радиометрии для исследования фотоиндуцированного поглощения в тонких пленках. Приведены оценки чувствительности метода. Предложен механизм возникновения наведенного поглощения в пленках диоксида титана в ближнем ИК диапазоне спектра и объяснена природа ответственных за этот процесс поверхностных дефектов. Показано, что кинетические уравнения, учитывающие процесс мономолекулярной рекомбинации, удовлетворительно описывает экспериментальные з
Доп.точки доступа:
Максимов, Е. М.
Тучков, А. А.
Скворцов, Л. А.
Исследование фотоиндуцированного поглощения методом модифицированной лазерной фототермической радиометрии / Л. А. Скворцов, Е. М. Максимов, А. А. Тучков // Квантовая электроника. - Т. 38, N 10 (2008), С. 983-988. - Библиогр.: с. 988 (25 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
волоконные световоды -- световоды -- широкополосное излучение -- широкополосные источники излучения
Аннотация: Рассмотрена возможность применения модифицированного метода лазерной фототермической радиометрии для исследования фотоиндуцированного поглощения в тонких пленках. Приведены оценки чувствительности метода. Предложен механизм возникновения наведенного поглощения в пленках диоксида титана в ближнем ИК диапазоне спектра и объяснена природа ответственных за этот процесс поверхностных дефектов. Показано, что кинетические уравнения, учитывающие процесс мономолекулярной рекомбинации, удовлетворительно описывает экспериментальные з
Доп.точки доступа:
Максимов, Е. М.
Тучков, А. А.
Страница 1, Результатов: 3