Перейти к содержимому 
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 12
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Активируемые процессы технологии микроэлектроники : сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; [отв. ред. Ю. Д. Чистяков]. - Москва : [б. и.], 1980. - 123 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- физико-химические процессы -- анизотропное травление кремния -- нанесение покрытий вольфрама -- фотостимуляция процесса нанесения покрытий -- эпитаксиальные слои арсенида галлия -- эпитаксиальные слои селенида кадмия
Доп.точки доступа:
Чистяков, Ю. Д. \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Активируемые процессы технологии микроэлектроники : сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; [отв. ред. Ю. Д. Чистяков]. - Москва : [б. и.], 1980. - 123 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- физико-химические процессы -- анизотропное травление кремния -- нанесение покрытий вольфрама -- фотостимуляция процесса нанесения покрытий -- эпитаксиальные слои арсенида галлия -- эпитаксиальные слои селенида кадмия
Доп.точки доступа:
Чистяков, Ю. Д. \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
2.
Подробнее
Игнатюк, В. А.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев теллурида цинка / Игнатюк В.А.; Под ред. В.В.Ветер; ДВГУ // Физика твердого тела. - 1972,,С.354-357
Кл.слова (ненормированные):
краеведение -- ДВГУ -- ДВГУ (труды преподавателей) -- теллурид цинка -- электрические свойства -- эпитаксиальные слои
Доп.точки доступа:
Ветер, В. В \ред.\
Дальневосточный государственный университет (Владивосток)
Игнатюк, В. А.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев теллурида цинка / Игнатюк В.А.; Под ред. В.В.Ветер; ДВГУ // Физика твердого тела. - 1972,,С.354-357
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
краеведение -- ДВГУ -- ДВГУ (труды преподавателей) -- теллурид цинка -- электрические свойства -- эпитаксиальные слои
Доп.точки доступа:
Ветер, В. В \ред.\
Дальневосточный государственный университет (Владивосток)
3.
Подробнее
Национальный исследовательский технологический университет
"МИСиС".
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной
техники : [научный журнал]/ Национальный исследовательский
технологический университет "МИСиС" ; гл. ред. Ю. Н. Пархоменко. -
Москва : Изд. дом Московского института стали и сплавов. - Журнал
по решению ВАК включен в Перечень периодических и
научно-технических изданий, выпускаемых в РФ, в которых
рекомендуется публикация основных результатов диссертаций на
соискание ученой степени доктора наук. - Выходит ежеквартально. -
ISSN 1609-3577
Рубрики:
материаловедение -- периодические издания
электроника -- периодические издания
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- диэлектрики -- магнитные материалы -- кристаллические полупроводники -- многослойные композиции (материаловедение) -- наноструктурированные материалы -- нанокристаллы -- монокристаллы -- эпитаксиальные слои (электроника)
Зарегистрированы поступления:
2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2015 2002 2016 2019
| Шифр: vtls000662037 (Журнал) |
Рубрики:
материаловедение -- периодические издания
электроника -- периодические издания
Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- диэлектрики -- магнитные материалы -- кристаллические полупроводники -- многослойные композиции (материаловедение) -- наноструктурированные материалы -- нанокристаллы -- монокристаллы -- эпитаксиальные слои (электроника)
Зарегистрированы поступления:
2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2015 2002 2016 2019
4.
Подробнее
Кютт, Р. Н.
О роли вторичной экстинции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев [Текст] / Р. Н. Кютт. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 6.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои АIII-нитридов -- интегральная интенсивность -- Лауэ-отражение -- рентгеновские лучи -- оптические принципы
Кютт, Р. Н.
О роли вторичной экстинции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев [Текст] / Р. Н. Кютт. // 7 nnas. Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 58, вып. 6.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои АIII-нитридов -- интегральная интенсивность -- Лауэ-отражение -- рентгеновские лучи -- оптические принципы
5.
Подробнее
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN [Текст] / А. А. Югов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
квазиподложки -- нанослой титана -- эпитаксиальные слои -- нитридизация аморфного слоя Ti -- метод хлоридно-гидридной эпитаксии
Доп.точки доступа:
Югов, А. А.
Малахов, С. С.
Донсков, А. А.
Духновский, М. П.
Князев, С. Н.
Козлова, Ю. П.
Югова, Т. Г.
Белогорохов, И. А.
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN [Текст] / А. А. Югов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2016. - Т. 50, вып. 3.
Кл.слова (ненормированные):
квазиподложки -- нанослой титана -- эпитаксиальные слои -- нитридизация аморфного слоя Ti -- метод хлоридно-гидридной эпитаксии
Доп.точки доступа:
Югов, А. А.
Малахов, С. С.
Донсков, А. А.
Духновский, М. П.
Князев, С. Н.
Козлова, Ю. П.
Югова, Т. Г.
Белогорохов, И. А.
6.
Подробнее
Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники / Московский институт электронной техники ; [отв. ред. Ю. Д. Чистяков]. - Москва : [Изд-во Московского института электронной техники], 1975. - 298 с. : ил., табл. - (Физико-химическая серия. Эпитаксия II ; вып. 20). - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные процессы -- эпитаксиальные слои -- тонкие пленки -- полупроводниковые соединения
Доп.точки доступа:
Чистяков, Ю. Д. \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники / Московский институт электронной техники ; [отв. ред. Ю. Д. Чистяков]. - Москва : [Изд-во Московского института электронной техники], 1975. - 298 с. : ил., табл. - (Физико-химическая серия. Эпитаксия II ; вып. 20). - Библиогр. в конце ст.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные процессы -- эпитаксиальные слои -- тонкие пленки -- полупроводниковые соединения
Доп.точки доступа:
Чистяков, Ю. Д. \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
7.
Подробнее
Горелик, Семен Самуилович.
Материаловедение полупроводников и диэлектриков : учебник для вузов / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. - Москва : Металлургия, 1988. - 574 с. - Библиогр. : с. 566-568.. - ISBN 5229004207
Предметный указ. : с. 569-574.
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- диэлектрические системы -- диффузия в полупроводниках -- ядерная реакция -- полупроводниковые фазы -- эпитаксиальные слои -- диэлектрические пленки
Доп.точки доступа:
Дашевский, Михаил Яковлевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Горелик, Семен Самуилович.
Материаловедение полупроводников и диэлектриков : учебник для вузов / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. - Москва : Металлургия, 1988. - 574 с. - Библиогр. : с. 566-568.. - ISBN 5229004207
Предметный указ. : с. 569-574.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- диэлектрические системы -- диффузия в полупроводниках -- ядерная реакция -- полупроводниковые фазы -- эпитаксиальные слои -- диэлектрические пленки
Доп.точки доступа:
Дашевский, Михаил Яковлевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
8.
Подробнее
Батавин, Виталий Васильевич.
Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович ; [ред. кол. : А. Г. Алексенко, В. В. Батавин, Р. А. Валитов и др.]. - Москва : Радио и связь, 1985. - 264 с. : табл., ил. - (Измерения в электронике.). - Библиогр. : с. 251-262.
Ред. указ. на обор. тит. л.
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- эпитаксиальные слои -- микроэлектроника -- дефекты кристаллов -- электронная техника -- генерация заряда
Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович
Федорович, Юрий Вячеславович
Алексенко, А. Г. \ред.\
Валитов, Р. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Батавин, Виталий Васильевич.
Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович ; [ред. кол. : А. Г. Алексенко, В. В. Батавин, Р. А. Валитов и др.]. - Москва : Радио и связь, 1985. - 264 с. : табл., ил. - (Измерения в электронике.). - Библиогр. : с. 251-262.
Ред. указ. на обор. тит. л.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- эпитаксиальные слои -- микроэлектроника -- дефекты кристаллов -- электронная техника -- генерация заряда
Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович
Федорович, Юрий Вячеславович
Алексенко, А. Г. \ред.\
Валитов, Р. А. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
9.
Подробнее
Панкратов, Е. Л.; ин-т физики микроструктур РАН
Динамика примеси при формировании p-n-переходов в неоднородных структурах. Оптимизация времени отжига / Е. Л. Панкратов; ???? Поступила в редакцию 08. 12. 2005 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 37-44. - Библиогр.: с. 43-44 (17 назв. ). - Содержание: Оптимизация времени отжига
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
примеси -- неоднородные структуры -- отжиг -- p-n-переходы -- неоднородности -- диффузия -- эпитаксиальный слой-подложка -- эпитаксиальные слои -- подложки
Аннотация: Проведен анализ динамики примеси при ее диффузии в неоднородной структуре в процессе производства p-n-перехода. Путем анализа функции влияния неоднородности коэффициента диффузии в пространстве, необходимые для увеличения резкости и выбора глубины p-n-перехода и проведена оптимизация времени отжига, при котором достигается компромиссное соотношение между увеличением резкости и равномерности распределения примеси в обогащенных ею областях p-n-перехода.
Панкратов, Е. Л.; ин-т физики микроструктур РАН
Динамика примеси при формировании p-n-переходов в неоднородных структурах. Оптимизация времени отжига / Е. Л. Панкратов; ???? Поступила в редакцию 08. 12. 2005 г. // Микроэлектроника. - Т. 36, N 1 (2007), С. 37-44. - Библиогр.: с. 43-44 (17 назв. ). - Содержание: Оптимизация времени отжига
| УДК |
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
примеси -- неоднородные структуры -- отжиг -- p-n-переходы -- неоднородности -- диффузия -- эпитаксиальный слой-подложка -- эпитаксиальные слои -- подложки
Аннотация: Проведен анализ динамики примеси при ее диффузии в неоднородной структуре в процессе производства p-n-перехода. Путем анализа функции влияния неоднородности коэффициента диффузии в пространстве, необходимые для увеличения резкости и выбора глубины p-n-перехода и проведена оптимизация времени отжига, при котором достигается компромиссное соотношение между увеличением резкости и равномерности распределения примеси в обогащенных ею областях p-n-перехода.
10.
Подробнее
Черняев, Владимир Николаевич.
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе / В. Н. Черняев, Л. В. Кожитов. - Москва : Энергия, 1974. - 231 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 215-229.
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои арсенида галлия -- эпитаксия -- полупроводниковые приборы -- радиоэлектронные устройства -- арсенид галлия
Доп.точки доступа:
Кожитов, Лев Васильевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Черняев, Владимир Николаевич.
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе / В. Н. Черняев, Л. В. Кожитов. - Москва : Энергия, 1974. - 231 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 215-229.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои арсенида галлия -- эпитаксия -- полупроводниковые приборы -- радиоэлектронные устройства -- арсенид галлия
Доп.точки доступа:
Кожитов, Лев Васильевич
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Страница 1, Результатов: 12