Электронный каталог

537 Д 403
Джафаров, Таяр Джумшуд оглы.
    Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах / Т. Д. Джафаров ; [отв. ред. Б. И. Болтакс] ; Академия наук СССР, Физико-технический институт. - Ленинград : Наука, 1978. - 207 c. : ил. - Библиогр. в конце гл.

Джафаров, Таяр Джумшуд оглы. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [Текст] / Т. Д. Джафаров ; [отв. ред. Б. И. Болтакс] ; Академия наук СССР, Физико-технический институт., 1978. - 207 c. с.

    Структурные трансформации в гомо- и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением [Текст] / Н. С. Заяц [и др.]. // 7 nnas. Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 3.

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ-облучение -- эпитаксиальные структуры -- трансформации в гомогенных системах -- трансформации гетерогенных системах -- гомогенная система GaAs -- гетерогенных система GaAs
Доп.точки доступа:
Заяц, Н. С.
Конакова, Р. В.
Миленин, В. В.
Редько, Р. А.
Редько, С. Н.

Структурные трансформации в гомо- и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением [Текст] / Н. С. Заяц [и др.]. - С. 114-118. с. // Журнал технической физики. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 85, вып. 3.

    Эффект воздействия n - и p -типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN [Текст] / В. Н. Бессолов [и др.]. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 10.

Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные структуры -- полуполярный нитрид галия -- n -типа проводимости -- p -тип проводимости -- полуполярный AlN -- полуполярный GaN -- проводимость подложки Si(100) -- структура эпитаксиальных слоев -- хлоридно-гидридная эпитаксия
Доп.точки доступа:
Бессолов, В. Н.
Гращенко, A. С.
Koненкова, E. В.
Мясоедов, A. В.
Oсипов, A. В.
Редьков, A. В.
Родин, С. Н.
Рубец, В. П.
Кукушкин, С. A.

Эффект воздействия n - и p -типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN [Текст] / В. Н. Бессолов [и др.]. - С. 1916-1921. с. // Физика твердого тела. - Санкт-Петербург : Наука,. - 2015. - Т. 57, вып. 10.

621.315 М 607
Мильвидский, Михаил Григорьевич.
    Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский ; [ред. В. Я. Дубнова]. - Москва : Наука, 1986. - 144 c. : ил., табл. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр. : с. 144

Мильвидский, Михаил Григорьевич. Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] / М. Г. Мильвидский ; [ред. В. Я. Дубнова], 1986. - 144 c. с.

621.315 П 245
Пека, Генриэтта Павловна.
    Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко ; под ред. Г. П. Пека. - Киев : Технiка, 1986. - 152 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 145-150

Пека, Генриэтта Павловна. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов [Текст] / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко ; под ред. Г. П. Пека, 1986. - 152 с. с.