Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования мнонокристаллических слоев для микроэлектроники)/Смородина, Татьяна Александровна.

 

QR-код документа

Оценок: 0

621.315 С 516
Смородина, Татьяна Александровна.
    Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника (процессы образования мнонокристаллических слоев для микроэлектроники) / Т. А. Смородина, Н. Н. Шефталь, А. П. Цуранов ; [отв. ред. И. А. Смирнов] ; Академия наук СССР, Институт кристаллографии. - Ленинград : Наука, 1986. - 173 с. : табл., ил. - Библиогр. : с. 161-171

УДК
621.315.592.002

Кл.слова (ненормированные):
полупровдники -- кристаллы -- полупроводниковые слои -- халькогениды -- кристаллографические исследования -- кристаллофизика -- кристаллография
Доп.точки доступа:
Шефталь, Николай Наумович
Цуранов, Александр Павлович
Смирнов, И. А. \ред.\
Академия наук СССР. Институт кристаллографии

Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)

Авторизуйтесь для получения дополнительных услуг