Смешанное моделирование ступенчатого биполярного транзистора с минимальным топологическим размером 20 нм и толщиной базы 3 нм/Трубочкина, Надежда Константиновна.

 

QR-код документа

Оценок: 0


Трубочкина, Надежда Константиновна (д-р техн. наук; Моск. ин-т электроники и математики (МИЭМ)).
    Смешанное моделирование ступенчатого биполярного транзистора с минимальным топологическим размером 20 нм и толщиной базы 3 нм = The Mixed Simulation of the Graduated Bipolar Transistor With a 20 ? m MinimumTopological Size and 3 ? m Base Thickness / Н. К. Трубочкина // Качество. Инновации. Образование. - N 11 (2009), С. 48-61. - Библиогр.: с. 58-61 (41 назв. )

УДК
621.382
ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
моделирование -- смешанное моделирование -- транзисторы -- биполярные транзисторы -- топологические размеры -- транзисторная схемотехника -- наносхемотехника -- переходная наносхемотехника
Аннотация: Автор приводит результаты и качественный анализ 2D и 3D физического и смешанного моделирования (совместно со схемотехническим) ступенчатого биполярного транзистора с минимальным топологическим размером.

Авторизуйтесь для получения дополнительных услуг

Похожие издания по классификации

Активный нелинейный двухполюсник с отрицательным сопротивлением на основе биполярного транзистора/Савченко, М. П.
Энергоподсистемы следящих электроприводов измерительных телескопов/Синицын, В. А.
Предельная непрерывная модель системы с высокочастотным периодическим изменением структуры/Коршунов, А. И.
Повышение точности рециркуляционного дальномера/Козлов, В. Л.
Русские манчестерцы опять отличились/Оганесян, Тигран.