Влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния/Пархоменко, А. И.

 

QR-код документа

Оценок: 0


Пархоменко, А. И.
    Влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния / А. И. Пархоменко, А. М. Шалагин // Квантовая электроника. - Т. 39, N 2 (2009), С. 163-170. - Библиогр.: с. 170 (10 назв. )

УДК
535.2/.3+621.375
ББК 22.343 + 32.86

Рубрики: Физика

   Физическая оптика

   Радиоэлектроника

   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние -- населенность энергетических уровней -- резонансное комбинационное рассеяние -- спектроскопия -- фазовая память
Аннотация: Теоретически исследовано влияние эффектов фазовой памяти при столкновениях на спектр резонансного комбинационного рассеяния излучения трехуровневыми атомами с А-конфигурацией уровней, находящимися в поле сильного монохроматического излучения и испытывающими столкновения с атомами буферного газа. Анализ проведен для систем с малым по сравнению с частотой столкновений доплеровским уширением (большие давления буферного газа) в общем случае произвольного изменения (от полного сбоя до полного сохранения) фазовой памяти на любом из тр
Доп.точки доступа:
Шалагин, А. М.

Похожие издания по классификации