Перейти к содержимому
QR-код документа
Мощная полупроводниковая электроника на пути к широкозонным материалам / Т. Т. Мнацаканов [и др. ] // Электричество. - N 9 (2006), С. 56-61. - Библиогр.: с. 61 (34 назв. )
| УДК | 621.38+621.3-03 |
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Энергетика--Эле ктротехнические материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- численное моделирование -- карбид кремния -- электроника полупроводниковая -- моделирование численное -- электрофизические параметры -- параметры электрофизические -- мощные полупроводниковые приборы -- полупроводниковые приборы мощные -- приборы полупроводниковые мощные -- широкозонные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы широкозонные -- материалы полупроводниковые широкозонные -- карбидокремниевые приборы -- приборы карбидокремниевые
Аннотация: Обсуждаются причины, обусловившие необходимость использования широкозонных полупроводниковых материалов в мощной электронике. Приведен краткий обзор литературных данных о состоянии разработок мощных приборов на основе карбида кремния в ведущих фирмах мира. Представлены результаты исследования электрофизических свойств карбида кремния и моделирования характеристик приборов на его основе, полученные во Всероссийском электротехническом институте (ВЭИ) за последние годы.
Доп.точки доступа:
Мнацаканов, Т. Т.
Юрков, С. Н.
Тандоев, А. Г.
Поморцева, Л. И.
Похожие издания по классификации