Перейти к содержимому
QR-код документа
Матвиишин, И. М.
Влияние адсорбции на поперечное фотонапряжение в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении / И. М. Матвиишин, С. С. Новосад, И. С. Новосад // Журнал технической физики. - Т. 75, N 2 (2005), С. 121-123. - Библиогр.: c. 123 (14 назв. )
| УДК | 539.19 |
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- йодистый кадмий -- поперечное фотонапряжение -- рентгеновское возбуждение
Аннотация: Приведены результаты исследования влияния газов (O[2] и воздуха) на поперечное фотонапряжение (ПФН) , возникающее в образцах CdI[2] при рентгеновском возбуждении. Проведенные исследования в вакууме при температуре 295 K показали, что ПФН практически линейно возрастает с увеличением мощности экспозиционной дозы рентгеновского излучения (R) . Регистрируемая величина ПФН в атмосфере газов имеет противоположное по знаку значение и при увеличении R больше 200 R/min выходит на насыщение. При откачке газа из системы величина ПФН сначала возрастает и после достижения максимального значения резко ослабляется, изменяет знак и достигает исходного значения для величины ПФН в условиях вакуума. На основании а нализа полученных результатов и литературных данных показано, что выявленные особенности влияния газов на ПНФ в CdI[2] вызваны рентгеностимулированной химической адсорбцией по акцепторному механизму.
Доп.точки доступа:
Новосад, С. С.
Новосад, И. С.
Похожие издания по классификации