Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора/Тихонов, Р. Д.

 

QR-код документа

Оценок: 0


Тихонов, Р. Д.
    Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 11 (2006), С. 39-44

УДК
621.3
ББК 31.2

Рубрики: Энергетика--Электротехника

Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- эмиттеры -- биполярные магнитотранзисторы -- приборно-технологическое моделирование -- поверхностная рекомбинация -- двухколлекторные биполярные магнитотранзисторы -- планарные биполярные магнитотранзисторы
Аннотация: Исследования биполярного магнитотранзистора показали, что его чувствительность определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, зависит от магнитной индукции и растет в слабых магнитных полях.

Авторизуйтесь для получения дополнительных услуг

Похожие издания по классификации

Модальный анализ устойчивости энергосистем: новый метод определения собственных значений/Филиппова, Н. Г.
Формулы для символьной параметрической диагностики линейных электрических цепей/Курганов, С. А.
Экспериментальное определение некоторых параметров синхронных машин одно- и двухосного возбуждения в установившихся режимах/Пирматов, Н. Б.
Особенности расчета индукционного нагрева и термонапряженного состояния заготовок прямоугольного сечения/Лепешкин, А. Р.
Решение краевых задач магнитостатики и электростатики на основе учета взаимного влияния полей поляризованных тел/Ронинсон, А. Д.