Перейти к содержимому 
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 11
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Викулин, Иван Михайлович.
Гальваномагнитные приборы / И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев ; [ред. кол. : В. М. Пролейко (отв. ред.) и др.]. - Москва : Радио и связь, 1983. - 101 с. : ил. - (Массовая библиотека инженера. Электроника ; вып. 38). - Библиогр. : с. 96-99
Кл.слова (ненормированные):
приборы гальваномагнитные -- Холла датчики -- магниторезисторы -- магнитодиоды -- магнитотиристоры -- магнитотранзисторы -- магнитометры
Доп.точки доступа:
Викулина, Лидия Федоровна
Стафеев, Виталий Иванович
Пролейко, В. М. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Викулин, Иван Михайлович.
Гальваномагнитные приборы / И. М. Викулин, Л. Ф. Викулина, В. И. Стафеев ; [ред. кол. : В. М. Пролейко (отв. ред.) и др.]. - Москва : Радио и связь, 1983. - 101 с. : ил. - (Массовая библиотека инженера. Электроника ; вып. 38). - Библиогр. : с. 96-99
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
приборы гальваномагнитные -- Холла датчики -- магниторезисторы -- магнитодиоды -- магнитотиристоры -- магнитотранзисторы -- магнитометры
Доп.точки доступа:
Викулина, Лидия Федоровна
Стафеев, Виталий Иванович
Пролейко, В. М. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
2.
Подробнее
Козлов, А. В.
Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане / А. В. Козлов, Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 9 (2004), С. 53-56
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
датчики магнитного поля -- магнитные поля -- биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор с базой, сформированной в кармане (БМТБК) , при внешнем соединении базы с карманом.
Доп.точки доступа:
Тихонов, Р. Д.
Козлов, А. В.
Биполярный магнитотранзистор с базой в кармане / А. В. Козлов, Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 9 (2004), С. 53-56
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
датчики магнитного поля -- магнитные поля -- биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: С помощью приборно-технологического моделирования исследован латеральный биполярный магнитотранзистор с базой, сформированной в кармане (БМТБК) , при внешнем соединении базы с карманом.
Доп.точки доступа:
Тихонов, Р. Д.
3.
Подробнее
Е 29
Егиазарян, Герберт Амбарцумович.
Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение / Г. А. Егиазарян, В. И. Стафеев ; [ред. кол. : С. С. Булгаков (отв. ред.) и др.]. - Москва : Радио и связь, 1987. - 89 с. : табл., ил. - (Массовая библиотека инженера. Электроника). - Библиогр. : с. 86-89
Кл.слова (ненормированные):
магнитотиристоры -- магнитодиоды полярные -- магинтодиоды планарные -- магнитодиоды "торцевые" -- магнитотранзисторы биполярные -- магнитотранзисторы двухколлекторные -- полевые гальваномагниторекомбинационные магнитотранзисторы
Доп.точки доступа:
Стафеев, Виталий Иванович
Булгаков, С. С. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Е 29
Егиазарян, Герберт Амбарцумович.
Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение / Г. А. Егиазарян, В. И. Стафеев ; [ред. кол. : С. С. Булгаков (отв. ред.) и др.]. - Москва : Радио и связь, 1987. - 89 с. : табл., ил. - (Массовая библиотека инженера. Электроника). - Библиогр. : с. 86-89
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
магнитотиристоры -- магнитодиоды полярные -- магинтодиоды планарные -- магнитодиоды "торцевые" -- магнитотранзисторы биполярные -- магнитотранзисторы двухколлекторные -- полевые гальваномагниторекомбинационные магнитотранзисторы
Доп.точки доступа:
Стафеев, Виталий Иванович
Булгаков, С. С. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
4.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Повышение чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 2 (2005), С. 55-60
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- концентрационно-рекомбинационный механизм -- датчики магнитного поля -- слабые магнитные поля -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: Приведены результаты исследования биполярного магнитотранзистора (БМТ) , чувствительность которого определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, и БМТ с базой в кармане (БМТБК) , обладающей порогом срабатывания.
Тихонов, Р. Д.
Повышение чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 2 (2005), С. 55-60
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- концентрационно-рекомбинационный механизм -- датчики магнитного поля -- слабые магнитные поля -- микромагнитоэлектроника
Аннотация: Приведены результаты исследования биполярного магнитотранзистора (БМТ) , чувствительность которого определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, и БМТ с базой в кармане (БМТБК) , обладающей порогом срабатывания.
5.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 11 (2006), С. 39-44
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- эмиттеры -- биполярные магнитотранзисторы -- приборно-технологическое моделирование -- поверхностная рекомбинация -- двухколлекторные биполярные магнитотранзисторы -- планарные биполярные магнитотранзисторы
Аннотация: Исследования биполярного магнитотранзистора показали, что его чувствительность определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, зависит от магнитной индукции и растет в слабых магнитных полях.
Тихонов, Р. Д.
Механизмы чувствительности биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 11 (2006), С. 39-44
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- эмиттеры -- биполярные магнитотранзисторы -- приборно-технологическое моделирование -- поверхностная рекомбинация -- двухколлекторные биполярные магнитотранзисторы -- планарные биполярные магнитотранзисторы
Аннотация: Исследования биполярного магнитотранзистора показали, что его чувствительность определяется концентрационно-рекомбинационным механизмом, зависит от магнитной индукции и растет в слабых магнитных полях.
6.
Подробнее
Математическое моделирование физических процессов в элементах микросхем : сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; под ред. Т. Д. Шермергора. - Москва : [б. и.], 1988. - 131 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы (ИМС) -- расчетное моделирование элементов ИМС -- волноводы -- пьезопреобразователи -- магнитотранзисторы -- инжекционные p-i-n- структуры -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Шермергор, Тимофей Дмитриевич \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Математическое моделирование физических процессов в элементах микросхем : сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; под ред. Т. Д. Шермергора. - Москва : [б. и.], 1988. - 131 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы (ИМС) -- расчетное моделирование элементов ИМС -- волноводы -- пьезопреобразователи -- магнитотранзисторы -- инжекционные p-i-n- структуры -- микроэлектроника
Доп.точки доступа:
Шермергор, Тимофей Дмитриевич \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
7.
Подробнее
Математическое моделирование физических процессов в приборах микроэлектроники : межвузовский сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; под ред. Т. Д. Шермергора. - Москва : [б. и.], 1989. - 147 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы (ИМС) -- элементы ИМС -- тензорезисторы -- пьезопреобразователи -- магнитотранзисторы -- магнетроны -- туннельные структуры
Доп.точки доступа:
Шермергор, Тимофей Дмитриевич \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Математическое моделирование физических процессов в приборах микроэлектроники : межвузовский сборник научных трудов / Московский институт электронной техники (МИЭТ) ; под ред. Т. Д. Шермергора. - Москва : [б. и.], 1989. - 147 с. : табл., ил. - Библиогр. в конце ст.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральные микросхемы (ИМС) -- элементы ИМС -- тензорезисторы -- пьезопреобразователи -- магнитотранзисторы -- магнетроны -- туннельные структуры
Доп.точки доступа:
Шермергор, Тимофей Дмитриевич \ред.\
Московский институт электронной техники
Экземпляры всего: 1
Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
Свободны: Хранение Отдела организации и использования фонда (1)
8.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Разбаланс потенциалов двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов, А. В. Козлов, С. А. Поломошнов // Измерительная техника. - N 8 (2008), С. 57-61
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- двухколлекторные латеральные биполярные магнитотранзисторы -- эмиттеры -- начальный разбаланс -- интегральные полупроводниковые магниточувствительные элементы -- магниторезисторы
Аннотация: Исследован начальный разбаланс в схемах включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора npn-типа, сформированного в кармане.
Доп.точки доступа:
Козлов, А. В.
Поломошнов, С. А.
Тихонов, Р. Д.
Разбаланс потенциалов двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора / Р. Д. Тихонов, А. В. Козлов, С. А. Поломошнов // Измерительная техника. - N 8 (2008), С. 57-61
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- двухколлекторные латеральные биполярные магнитотранзисторы -- эмиттеры -- начальный разбаланс -- интегральные полупроводниковые магниточувствительные элементы -- магниторезисторы
Аннотация: Исследован начальный разбаланс в схемах включения двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора npn-типа, сформированного в кармане.
Доп.точки доступа:
Козлов, А. В.
Поломошнов, С. А.
9.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.
Интегральный магнитотранзисторный датчик / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 4 (2009), С. 50-54
ББК 30.10
Рубрики: Техника
Метрология
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- начальный разбаланс -- интегральный датчик -- биполярный магниточувствительный транзистр -- магнитотранзисторные датчики
Аннотация: Экспериментально исследован начальный разбаланс напряжения между коллекторами в интервальных схемах, включающих двухколлекторный латеральный биполярный магнитотранзистор npn-типа, сформированный в кармане, и поликремниевые резисторы.
Тихонов, Р. Д.
Интегральный магнитотранзисторный датчик / Р. Д. Тихонов // Измерительная техника. - N 4 (2009), С. 50-54
| УДК |
Рубрики: Техника
Метрология
Кл.слова (ненормированные):
биполярные магнитотранзисторы -- магнитотранзисторы -- начальный разбаланс -- интегральный датчик -- биполярный магниточувствительный транзистр -- магнитотранзисторные датчики
Аннотация: Экспериментально исследован начальный разбаланс напряжения между коллекторами в интервальных схемах, включающих двухколлекторный латеральный биполярный магнитотранзистор npn-типа, сформированный в кармане, и поликремниевые резисторы.
10.
Подробнее
Тихонов, Р. Д.; ГУ НПК "Технологический Центр" МИЭТ
Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор: определение чувствительности / Р. Д. Тихонов // Микроэлектроника. - Т. 38, N 4 (2009), С. 260-272. - Библиогр.: с. 272 (16 назв. )
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- биполярные магнитотранзисторы -- двухколлекторные магнитотранзисторы -- магнитные поля -- концентрационно-рекомбинационные механизмы -- чувствительность магнитотранзисторов
Аннотация: Приведен анализ особенностей определения величины и знака чувствительности магнитотранзистора. Экспериментальные исследования и приборно-технологическое моделирование показали, что определяющим является концентрационно-рекомбинационный механизм изменения под воздействием магнитного поля токов в структуре магнитотранзистора. Понимание механизма работы прибора позволяет повышать чувствительность биполярного магнитотранзистора.
Тихонов, Р. Д.; ГУ НПК "Технологический Центр" МИЭТ
Двухколлекторный биполярный магнитотранзистор: определение чувствительности / Р. Д. Тихонов // Микроэлектроника. - Т. 38, N 4 (2009), С. 260-272. - Библиогр.: с. 272 (16 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитотранзисторы -- биполярные магнитотранзисторы -- двухколлекторные магнитотранзисторы -- магнитные поля -- концентрационно-рекомбинационные механизмы -- чувствительность магнитотранзисторов
Аннотация: Приведен анализ особенностей определения величины и знака чувствительности магнитотранзистора. Экспериментальные исследования и приборно-технологическое моделирование показали, что определяющим является концентрационно-рекомбинационный механизм изменения под воздействием магнитного поля токов в структуре магнитотранзистора. Понимание механизма работы прибора позволяет повышать чувствительность биполярного магнитотранзистора.
Страница 1, Результатов: 11