Перейти к содержимому
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 5
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
Прохоров, В. В.
Широкополосные источники излучения высокой яркости на основе суперлюминесцентного диода и полупроводникового лазерного усилителя / В. В. Прохоров, Д. С. Шваков, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 35, N 6 (2005), С. 504-506. - Библиогр.: с. 506 (5 назв. ). - рис.
| УДК |
Рубрики: Физика--Оптика
Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные источники излучения -- излучения высокой яркости -- полупроводниковые лазерные усилители
Аннотация: Экспериментально показано, что использование полупроводникового лазерного усилителя бегущей волны позволяет значительно улучшить выходные характеристики суперлюминисцентного диода, в частности повысить выходную оптическую мощность или расширить спектральную полосу излучения. При использовании излучающих в спектральной области 1300 нм полупроводниковых лазерных усилителей, выполненных на основе двухсторонних гетероструктур с раздельным ограничением, и различных суперлюминесцентных диодов в качестве источников входного сигнала получена непрерывная мощность до 50 мВт на выходе одномодового волоконного световода и спектральная полуширина линии излучения до 70 нм.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Шваков, Д. С.
2.
Подробнее
Лобинцов, П. А.
Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов / П. А. Лобинцов, Д. С. Мамедов, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 36, N 2 (2006), С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (3 назв. ). - Ил.: 4 рис.
ББК 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- источники излучения -- медленная деградация диодов -- лазерные диоды -- диоды
Аннотация: Исследован процесс медленной деградации партии из 48 суперлюминесцентных диодов, изготовленных из одной гетероэпитаксиальной пластины, с различными длинами активных каналов. Полученные результаты подтверждают, что перспективным техническим решением, позволяющим увеличить время жизни мощных суперлюминесцентных диодов, является конструкция с неинжектируемыми торцевыми участками активного канала, обеспечивающая снижение токовых, а следовательно и тепловых нагрузок.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
Лобинцов, П. А.
Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов / П. А. Лобинцов, Д. С. Мамедов, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 36, N 2 (2006), С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (3 назв. ). - Ил.: 4 рис.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- источники излучения -- медленная деградация диодов -- лазерные диоды -- диоды
Аннотация: Исследован процесс медленной деградации партии из 48 суперлюминесцентных диодов, изготовленных из одной гетероэпитаксиальной пластины, с различными длинами активных каналов. Полученные результаты подтверждают, что перспективным техническим решением, позволяющим увеличить время жизни мощных суперлюминесцентных диодов, является конструкция с неинжектируемыми торцевыми участками активного канала, обеспечивающая снижение токовых, а следовательно и тепловых нагрузок.
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
3.
Подробнее
Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000-1100 нм / П. И. Лапин [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 36, N 4 (2006), С. 315-318. - Библиогр.: с. 318 (6 назв. ). - Ил.: 4 рис., 1 табл.
ББК 22.34
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- квантоворазмерные гетероструктуры -- оптическая томография -- оптическая когерентная томография
Аннотация: Исследованы физические характеристики суперлюминесцентных диодов на основе квантоворазмерной гетероструктуры с двумя активными слоями. В зависимости от длины активного канала суперлюминесцентного диода в режиме пространственно однородной инжекции выходная мощность излучения на выходе пристыкованного одномодового волоконного световода составляла 0. 5-30 мВт при ширине спектра излучения от 30 до 120 нм.
Доп.точки доступа:
Лапин, П. И.
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
Мармалюк, А. А.
Падалица, А. А.
Мощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000-1100 нм / П. И. Лапин [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 36, N 4 (2006), С. 315-318. - Библиогр.: с. 318 (6 назв. ). - Ил.: 4 рис., 1 табл.
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
суперлюминесцентные диоды -- квантоворазмерные гетероструктуры -- оптическая томография -- оптическая когерентная томография
Аннотация: Исследованы физические характеристики суперлюминесцентных диодов на основе квантоворазмерной гетероструктуры с двумя активными слоями. В зависимости от длины активного канала суперлюминесцентного диода в режиме пространственно однородной инжекции выходная мощность излучения на выходе пристыкованного одномодового волоконного световода составляла 0. 5-30 мВт при ширине спектра излучения от 30 до 120 нм.
Доп.точки доступа:
Лапин, П. И.
Якубович, С. Д.
Мамедов, Д. С.
Мармалюк, А. А.
Падалица, А. А.
4.
Подробнее
Узкополосные двухпроходные суперлюминесцентные диоды с длиной волны излучения 1060 нм / А. А. Лобинцов [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 39, N 9 (2009), С. 793-796. - Библиогр.: с. 796 (9 назв. )
ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
брэгговские решетки -- волоконные решетки -- волоконные световоды -- одномодовые световоды -- оптические усилители -- полупроводниковые усилители -- суперлюминесцентные диоды
Аннотация: Экспериментально показано, что двухпроходные суперлюминесцентные диоды (СЛД) с внешними спектрально-селективными отражателями на основе волоконных брэгговских решеток (ВБР) позволяют получить выходное излучение с шириной спектра в диапазоне 0. 1 - 1. 0 нм, что на 1 - 2 порядка меньше, чем у традиционных СЛД, и значительно больше, чем у одночастотных полупроводниковых лазеров. Их оптическая мощность на выходе одномодового волоконного световода достигала 5. 0 - 8. 0 мВТ и могла быть увеличена до 50 мВт с помощью полупроводникового оптического усили
Доп.точки доступа:
Лобинцов, А. А.
Перевозчиков, М. В.
Шраменко, М. В.
Якубович, С. Д.
Узкополосные двухпроходные суперлюминесцентные диоды с длиной волны излучения 1060 нм / А. А. Лобинцов [и др. ] // Квантовая электроника. - Т. 39, N 9 (2009), С. 793-796. - Библиогр.: с. 796 (9 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
брэгговские решетки -- волоконные решетки -- волоконные световоды -- одномодовые световоды -- оптические усилители -- полупроводниковые усилители -- суперлюминесцентные диоды
Аннотация: Экспериментально показано, что двухпроходные суперлюминесцентные диоды (СЛД) с внешними спектрально-селективными отражателями на основе волоконных брэгговских решеток (ВБР) позволяют получить выходное излучение с шириной спектра в диапазоне 0. 1 - 1. 0 нм, что на 1 - 2 порядка меньше, чем у традиционных СЛД, и значительно больше, чем у одночастотных полупроводниковых лазеров. Их оптическая мощность на выходе одномодового волоконного световода достигала 5. 0 - 8. 0 мВТ и могла быть увеличена до 50 мВт с помощью полупроводникового оптического усили
Доп.точки доступа:
Лобинцов, А. А.
Перевозчиков, М. В.
Шраменко, М. В.
Якубович, С. Д.
5.
Подробнее
Костин, Ю. О.
Двухсекционные широкополосные суперлюминесцентные диоды / Ю. О. Костин, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 39, N 5 (2009), С. 421-424. - Библиогр.: с. 424 (8 назв. )
ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
двухсекционные суперлюминесцентные диоды -- квантоворазмерные гетероструктуры -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные диоды
Аннотация: Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) с двумя электрическими изолированными участками инжекции на основе однослойной квантоворазмерной гетероструктуры в системе GaAlAs/GaAs с центральной длиной волны излучения около 825 нм. Показано, что при различных комбинациях токов, инжектируемых в секции, СЛД такого типа позволяют получить любую непрерывную выходную мощность от единиц до почти сотни милливатт при неизменной ширине спектра излучения (примерно 70 нм).
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Костин, Ю. О.
Двухсекционные широкополосные суперлюминесцентные диоды / Ю. О. Костин, С. Д. Якубович // Квантовая электроника. - Т. 39, N 5 (2009), С. 421-424. - Библиогр.: с. 424 (8 назв. )
| УДК |
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
двухсекционные суперлюминесцентные диоды -- квантоворазмерные гетероструктуры -- суперлюминесцентные диоды -- широкополосные диоды
Аннотация: Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) с двумя электрическими изолированными участками инжекции на основе однослойной квантоворазмерной гетероструктуры в системе GaAlAs/GaAs с центральной длиной волны излучения около 825 нм. Показано, что при различных комбинациях токов, инжектируемых в секции, СЛД такого типа позволяют получить любую непрерывную выходную мощность от единиц до почти сотни милливатт при неизменной ширине спектра излучения (примерно 70 нм).
Доп.точки доступа:
Якубович, С. Д.
Страница 1, Результатов: 5