Перейти к содержимому
База данных: Электронный каталог ДВФУ
Страница 1, Результатов: 6
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
Аверьянов, Евгений Ефимович.
Плазменное анодирование в радиоэлектронике / Е. Е. Аверьянов. - Москва : Радио и связь, 1983. - 79 с. : табл., ил. - (Библиотека технолога радиоэлектронной аппаратуры). - Библиогр. : с. 74-78
Кл.слова (ненормированные):
радиоэлектроника -- анодирование плазменное -- анодирование плазменно-электролитическое -- анодирование металлов -- анодирование полупроводников -- кинетика окисления -- электрофизические параметры оксидов
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Аверьянов, Евгений Ефимович.
Плазменное анодирование в радиоэлектронике / Е. Е. Аверьянов. - Москва : Радио и связь, 1983. - 79 с. : табл., ил. - (Библиотека технолога радиоэлектронной аппаратуры). - Библиогр. : с. 74-78
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
радиоэлектроника -- анодирование плазменное -- анодирование плазменно-электролитическое -- анодирование металлов -- анодирование полупроводников -- кинетика окисления -- электрофизические параметры оксидов
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
2.
Подробнее
Д 182
Данилин, Борис Степанович.
Ионное травление микроструктур / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев ; [ред. кол. : В. М. Пролейко (отв. ред.), К. А. Валиев, В. М. Вальков и др.]. - Москва : Советское радио, 1979. - 103 с. : табл., ил. + схемы. - (Массовая библиотека инженера "Электроника"). - Библиогр. : с. 95-102.
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- травление ионное -- микроэлектроника -- диодные ВЧ системы -- ионные источники -- триодные системы -- электрофизические параметры
Доп.точки доступа:
Киреев, Валерий Юрьевич
Пролейко, В. М. \ред.\
Валиев, Камиль Ахметович \ред.\
Вальков, В. М. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
Д 182
Данилин, Борис Степанович.
Ионное травление микроструктур / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев ; [ред. кол. : В. М. Пролейко (отв. ред.), К. А. Валиев, В. М. Вальков и др.]. - Москва : Советское радио, 1979. - 103 с. : табл., ил. + схемы. - (Массовая библиотека инженера "Электроника"). - Библиогр. : с. 95-102.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- травление ионное -- микроэлектроника -- диодные ВЧ системы -- ионные источники -- триодные системы -- электрофизические параметры
Доп.точки доступа:
Киреев, Валерий Юрьевич
Пролейко, В. М. \ред.\
Валиев, Камиль Ахметович \ред.\
Вальков, В. М. \ред.\
Экземпляры всего: 1
Книгохранение (1)
Свободны: Книгохранение (1)
3.
Подробнее
Павлов, Лев Павлович.
Методы измерения параметров полупроводниковых материалов : учебник для вузов / Л. П. Павлов. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1987. - 239 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 237. - Приложения : с. 233-236
Рубрики: полупроводники--параметры--измерение--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические параметры измерения полупроводников -- оптические методы измерения полупроводников -- вольт-фарадные методы измерения полупроводников -- удельное сопротивление полупроводников, измерения -- Фарадея эффект -- полупроводниковые материалы
Экземпляры всего: 10
Абонемент 402 (6), Книгохранение (1), Ч/З о. Русский (3)
Свободны: Абонемент 402 (6), Книгохранение (1), Ч/З о. Русский (3)
Павлов, Лев Павлович.
Методы измерения параметров полупроводниковых материалов : учебник для вузов / Л. П. Павлов. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1987. - 239 с. : ил., табл. - Библиогр. : с. 237. - Приложения : с. 233-236
| УДК |
Рубрики: полупроводники--параметры--измерение--учебные издания для вузов
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические параметры измерения полупроводников -- оптические методы измерения полупроводников -- вольт-фарадные методы измерения полупроводников -- удельное сопротивление полупроводников, измерения -- Фарадея эффект -- полупроводниковые материалы
Экземпляры всего: 10
Абонемент 402 (6), Книгохранение (1), Ч/З о. Русский (3)
Свободны: Абонемент 402 (6), Книгохранение (1), Ч/З о. Русский (3)
4.
Подробнее
Экспериментальное определение электрофизических параметров лесного покрова с использованием сигналов глобальных навигационных систем ГЛОНАСС и GPS / В. Б. Кашкин [и др. ]; ???? поступила в редакцию 16. 01. 2004 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 51, N 7 (2006), С. 825-830. - Библиогр.: с. 830 (9 назв. )
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэ лектроники
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические параметры -- навигационные системы -- навигационная аппаратура
Аннотация: Рассмотрены результаты эксперимента по использованию сигналов, принимаемых с навигационных космических аппаратов, для определения эффективной комплексной диэлектрической проницаемости (КПД) лесного полога. Прием осуществлен при помощи оригинального трехантенного интерферометра. Для участка соснового древостроя 90...110-летнего возраста действительная часть КПД установлена равной 1. 004...1. 01, в зависимости от азимута и угла места спутника, при относительной погрешности не более 10%, мнимая часть - равной 0. 008-0. 016 при погрешности не более 15%.
Доп.точки доступа:
Кашкин, В. Б.
Кокорин, В. И.
Миронов, В. Л.
Сизасов, С. В.
Экспериментальное определение электрофизических параметров лесного покрова с использованием сигналов глобальных навигационных систем ГЛОНАСС и GPS / В. Б. Кашкин [и др. ]; ???? поступила в редакцию 16. 01. 2004 г. // Радиотехника и электроника. - Т. 51, N 7 (2006), С. 825-830. - Библиогр.: с. 830 (9 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэ лектроники
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические параметры -- навигационные системы -- навигационная аппаратура
Аннотация: Рассмотрены результаты эксперимента по использованию сигналов, принимаемых с навигационных космических аппаратов, для определения эффективной комплексной диэлектрической проницаемости (КПД) лесного полога. Прием осуществлен при помощи оригинального трехантенного интерферометра. Для участка соснового древостроя 90...110-летнего возраста действительная часть КПД установлена равной 1. 004...1. 01, в зависимости от азимута и угла места спутника, при относительной погрешности не более 10%, мнимая часть - равной 0. 008-0. 016 при погрешности не более 15%.
Доп.точки доступа:
Кашкин, В. Б.
Кокорин, В. И.
Миронов, В. Л.
Сизасов, С. В.
5.
Подробнее
Камалов, А. Б.
Влияние радиационной и термической обработки на параметры диодов Шоттки Au-TiB[х]-n-n&+;-GaAs / А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - N 3 (2006), С. 9-13
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- электрофизические параметры диодов -- радиационное воздействие -- СВЧ воздействие -- облучение -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- электронные устройства -- механические напряжения -- термообработка
Аннотация: Показано, что изменение электрофизических параметров диодных структур с барьером Шоттки при радиационном и СВЧ воздействии связано с релаксацией внутренних механических напряжений.
Камалов, А. Б.
Влияние радиационной и термической обработки на параметры диодов Шоттки Au-TiB[х]-n-n&+;-GaAs / А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - N 3 (2006), С. 9-13
| УДК |
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
диоды -- электрофизические параметры диодов -- радиационное воздействие -- СВЧ воздействие -- облучение -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- электронные устройства -- механические напряжения -- термообработка
Аннотация: Показано, что изменение электрофизических параметров диодных структур с барьером Шоттки при радиационном и СВЧ воздействии связано с релаксацией внутренних механических напряжений.
6.
Подробнее
Мощная полупроводниковая электроника на пути к широкозонным материалам / Т. Т. Мнацаканов [и др. ] // Электричество. - N 9 (2006), С. 56-61. - Библиогр.: с. 61 (34 назв. )
ББК 31.23
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Энергетика--Эле ктротехнические материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- численное моделирование -- карбид кремния -- электроника полупроводниковая -- моделирование численное -- электрофизические параметры -- параметры электрофизические -- мощные полупроводниковые приборы -- полупроводниковые приборы мощные -- приборы полупроводниковые мощные -- широкозонные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы широкозонные -- материалы полупроводниковые широкозонные -- карбидокремниевые приборы -- приборы карбидокремниевые
Аннотация: Обсуждаются причины, обусловившие необходимость использования широкозонных полупроводниковых материалов в мощной электронике. Приведен краткий обзор литературных данных о состоянии разработок мощных приборов на основе карбида кремния в ведущих фирмах мира. Представлены результаты исследования электрофизических свойств карбида кремния и моделирования характеристик приборов на его основе, полученные во Всероссийском электротехническом институте (ВЭИ) за последние годы.
Доп.точки доступа:
Мнацаканов, Т. Т.
Юрков, С. Н.
Тандоев, А. Г.
Поморцева, Л. И.
Мощная полупроводниковая электроника на пути к широкозонным материалам / Т. Т. Мнацаканов [и др. ] // Электричество. - N 9 (2006), С. 56-61. - Библиогр.: с. 61 (34 назв. )
| УДК |
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Энергетика--Эле ктротехнические материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая электроника -- численное моделирование -- карбид кремния -- электроника полупроводниковая -- моделирование численное -- электрофизические параметры -- параметры электрофизические -- мощные полупроводниковые приборы -- полупроводниковые приборы мощные -- приборы полупроводниковые мощные -- широкозонные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы широкозонные -- материалы полупроводниковые широкозонные -- карбидокремниевые приборы -- приборы карбидокремниевые
Аннотация: Обсуждаются причины, обусловившие необходимость использования широкозонных полупроводниковых материалов в мощной электронике. Приведен краткий обзор литературных данных о состоянии разработок мощных приборов на основе карбида кремния в ведущих фирмах мира. Представлены результаты исследования электрофизических свойств карбида кремния и моделирования характеристик приборов на его основе, полученные во Всероссийском электротехническом институте (ВЭИ) за последние годы.
Доп.точки доступа:
Мнацаканов, Т. Т.
Юрков, С. Н.
Тандоев, А. Г.
Поморцева, Л. И.
Страница 1, Результатов: 6